Stoichiometric CuO and Cu2O targets

Stoichiometric CuO and Cu2O targets were used to deposit thin filmsof Cu2O and CuO. All deposition was performed at a radio frequency sputtering power of 200 W andworking pressure of 3 mTorr. Glass and fluorine doped tin oxide (FTO) coated glass substrates wereused to prepare the samples.

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化学计量的CuO和氧化亚铜目标被用于沉积薄膜 的Cu2O和CuO的。所有沉积在射频溅射200 W的功率和执行 3毫乇的工作压力。玻璃和氟掺杂的氧化锡（FTO）涂布的玻璃基板 用于制备样品。

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用于沉积薄膜的化学计量 CuO 和 Cu2O 目标 Cu2O 和 CuO。所有沉积均以 200 W 的无线电频率溅射功率进行， 工作压力为 3 mTorr。玻璃和氟掺杂锡氧化物（FTO）涂层玻璃基板 用于准备样品。

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采用化学计量比CuO和Cu2O靶制备薄膜 Cu2O和CuO。所有的沉积都是在200瓦的射频溅射功率下进行的，并且 工作压力为3米。研究了玻璃和掺氟氧化锡（FTO）涂层玻璃基板的制备方法 用于制备样品。

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