The core of the light-emitting diod

Der Kern der Leuchtdiode ist ein Wafer aus P- und N-Halbleitern mit einer Übergangsschicht zwischen P- und N-Halbleitern, die als PN-Übergang bezeichnet wird (siehe Abbildung 6-2). In einigen PN-Übergängen von Halbleitermaterialien setzt eine kleine Anzahl injizierter Ladungsträger in Kombination mit einer großen Anzahl von Ladungsträgern die überschüssige Energie in Form von Licht frei und wandelt so elektrische Energie direkt in Lichtenergie um. PN-Übergang plus Sperrspannung, einige Träger schwer zu injizieren, emittiert kein Licht. Die Diode, die das Prinzip der Elektrolumineszenz vom Injektionstyp verwendet, wird als Leuchtdiode oder LED bezeichnet. Wenn es in einer positiven Richtung arbeitet (dh mit einer an beiden Enden angelegten Durchlassspannung), fließt Strom von der LED-Anode zur Kathode.

Der Kern der Leuchtdiode ist ein Wafer, der aus P- und N-Halbleitern besteht, mit einer Übergangsschicht zwischen P- und N-Halbleitern, die als P-N-Kreuzung bezeichnet wird, wie in Abbildung 6-2 dargestellt. In einigen Liste von Halbleitermaterialien PN-Knoten, eine kleine Anzahl von injizierten Trägern, in Kombination mit einer großen Anzahl von Trägern, geben die überschüssige Energie in Form von Licht, so dass elektrische Energie direkt in Lichtenergie umgewandelt. PN-Anschluss plus Rückwärtsspannung, ein paar Träger schwer zu injizieren, es emittiert kein Licht. Die Diode, die das Prinzip der Elektrolumineszenz der Injektionsart verwendet, wird als Leuchtdiode oder LED bezeichnet. Wenn es in eine positive Richtung arbeitet (d.h. mit einer Anspannung an beiden Enden) fließt stromvon der LED-Anode zur Kathode, und der Halbleiterkristall gibt je nach Strom verschiedene Lichtfarben von Ultraviolett bis Infrarot aus.

发光二极管的核心是由P和N半导体组成的晶片，P和N半导体之间有一个称为P-N结的过渡层，如图6-2所示。在一些半导体材料PN结中，少量注入载流子与大量载流子结合后，以光的形式释放出多余的能量，从而将电能直接转化为光能。PN结加反向电压，少数载流子难以注入，故不发光。采用注入式电致发光原理的二极管被称为发光二极管（LED）。当它正向工作（即两端施加正向电压）时，电流从LED阳极流向阴极，半导体晶体根据电流的不同，发出从紫外到红外的不同颜色的光。<br>