具体地说，在300K下，掺入0.3wt%GaAs纳米相的复合样品获得了

具体地说，在300K下，掺入0.3wt%GaAs纳米相的复合样品获得了超低的L~0.27wm-1k-1（300K），这主要是由GaAs纳米粒子增强的声子散射以及GaAs与BTS基体之间的相界引起的

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Specifically, at 300K, the composite sample doped with 0.3wt% GaAs nanophase obtained ultra low L~0.27wm-1k-1 (300K), which is mainly due to the phonon scattering enhanced by GaAs nanoparticles and GaAs Caused by the phase boundary between the BTS substrate

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Specifically, at 300K, composite samples mixed with 0.3wt%GaAs nanophase were obtained with ultra-low L-0.27wm-1k-1 (300K), mainly caused by the enhanced sonic scattering of GaAs nanoparticles and the phase boundary between GaAs and the BTS substrate.

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Specifically, the ultra-low L ~ 0.27wm-1k-1 (300K) was obtained by doping 0.3wt% GaAs nanoparticles at 300K, which was mainly caused by the enhanced phonon scattering of GaAs nanoparticles and the phase boundary between GaAs and BTS matrix<br>

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