Similar dielectric behavior, i.e. b

Similar dielectric behavior, i.e. broad peak at the Curie temperature and relatively low dielectric constant was very recently reported for cold sintered BaTiO3 ceramics obtained at 300oC and explained mainly in terms of grain size effects [32]. Together with this recent report, the data in the current work supports that it is possible to obtain decent dielectric properties even by sintering at low processing temperatures via rHLPD.

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最近报道了在300oC下获得的冷烧结BaTiO3陶瓷具有相似的介电性能，即居里温度下的宽峰和相对较低的介电常数，主要是通过晶粒尺寸效应来解释的[32]。与最新报告一起，当前工作中的数据支持即使通过rHLPD在低处理温度下烧结也可以获得良好的介电性能。

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类似的介电行为，即居里温度的宽峰和相对较低的介电常数，最近报告为冷烧结巴蒂O3陶瓷在300oC获得，并主要解释的粒径效应[32]。与最近的报告一起，当前工作的数据支持，即使通过 rHLPD 在低处理温度下烧结，也能获得体面的介电性能。

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对于在300℃下获得的冷烧结BaTiO3陶瓷，最近报道了类似的介电行为，即居里温度下的宽峰和相对较低的介电常数，并主要从晶粒尺寸效应方面进行了解释[32]。结合最近的报告，当前工作中的数据支持，即使在低温下通过rHLPD烧结也有可能获得良好的介电性能。<br>

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