The microstructures of as-prepared GaAs powders, fracture surface of B的简体中文翻译

The microstructures of as-prepared

The microstructures of as-prepared GaAs powders, fracture surface of BTS matrix and the fracture surface of a typical composite sample with f=0.5 were further investigated by using field emission scanning electron microscopy (FE-SEM). FE-SEM observations show that the most of the GaAs particles of as-prepared GaAs powders are of the sizes in sub-micrometers (Figure S1(a)); while the BTS matrix has large grains with layered structure on the micron scale (Figure S1(b)). On the fracture surface of the composite specimens (f=0.5 wt.%, for instance) (Figure S1(c)) one can find out some nanoparticles with size of 50-200nm, and it can be seen from Figure S1(d) that there are some white spots at the grain boundaries. By careful inspection with energy dispersive X-ray spectroscopy (EDX), one finds that there is a shortage of element Bi(Te)/Se and a rich of Ga/As in the areas with white spots, as shown in Figure S1(e), indicating that the white spots are actually GaAs grains, in agreement with XRD measurements. Present results indicate that nanophase GaAs are successfully incorporated into the BiTeSe matrix.
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利用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM),进一步研究了制备好的GaAs粉末的微观结构,BTS基体的断裂表面和f = 0.5的典型复合样品的断裂表面。FE-SEM观察表明,制备后的GaAs粉末的大多数GaAs颗粒的大小均在亚微米以下(图S1(a));而BTS基质具有微米级的大晶粒和分层结构(图S1(b))。在复合材料试样的断裂表面(例如,f = 0.5 wt。%)(图S1(c)),可以发现一些尺寸为50-200nm的纳米粒子,从图S1(d)可以看出。在晶界处有一些白点。通过使用能量色散X射线光谱仪(EDX)进行仔细检查,人们发现,如图S1(e)所示,在具有白色斑点的区域中,缺乏Bi(Te)/ Se元素,而富含Ga / As,表明该白色斑点实际上是GaAs晶粒,符合XRD测量。目前的结果表明,纳米相GaAs已成功地掺入BiTeSe基质中。
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利用现场发射扫描电子显微镜(FE-SEM),进一步调查了制备的GaAs粉末的微观结构、BTS矩阵的断裂表面以及f=0.5的典型复合样品的断裂表面。FE-SEM观测显示,作为制备的GaAs粉末的大多数GaAs颗粒的大小在亚微米(图S1(a));而BTS矩阵具有微米尺度上具有分层结构的大颗粒(图S1(b))。在复合试样(例如f=0.5 wt.)的断裂表面上(例如)(图S1(c)))上,人们可以找出一些尺寸为50-200nm的纳米粒子,从图S1(d)中可以看出,颗粒边界上有一些白点。通过仔细检查能量分散X射线光谱(EDX),发现在白点区域缺少元素Bi(Te)/Se和丰富的Ga/As,如图S1(e)所示,这表明白点实际上是GaAs颗粒,与XRD测量一致。结果表明,纳米相GaA已成功纳入BiTeSe矩阵。
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采用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)对制备的GaAs粉体、BTS基体断口和典型的f=0.5复合材料试样断口的微观结构进行了研究。FE-SEM观察表明,所制备的GaAs粉体中大部分GaAs颗粒的尺寸为亚微米级(图S1(a));而BTS基体具有微米级的层状结构的大颗粒(图S1(b))。例如,在复合材料试样(f=0.5 wt.%)的断口上(图S1(c))可以发现一些尺寸为50-200nm的纳米粒子,从图S1(d)可以看出,在晶界处有一些白点。通过能量色散X射线能谱(EDX)的仔细检查,发现白点区域缺少Bi(Te)/Se元素和丰富的Ga/As元素,如图S1(e)所示,表明白点实际上是GaAs晶粒,与XRD测量结果一致。结果表明,纳米GaAs被成功地结合到BiTeSe基体中。<br>
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