Ali et al. [52] reported a one-step approach for the synthesis of MoS2的简体中文翻译

Ali et al. [52] reported a one-step

Ali et al. [52] reported a one-step approach for the synthesis of MoS2/ graphene by electrochemical exfoliation of graphite. For performing the anodic electrochemical method, the connected bulk MoS2 crystal, and graphite rod as the anode were used. Also, a platinum wire was used as cathode and the 1 M Na2SO4 solution was the electrolyte, in their study. The electrochemical process was conducted by applying the anodic voltage of 2 V for 5 min, followed by 10 V for min. Similar approaches were carried out for bulk MoS2 crystal and graphite anodes, separately. Fig. 8 compared the XRD patterns of MoS2/ graphene composite, MoS2, and graphene samples. As shown in Fig. 8, the XRD pattern of obtained powder by electrochemical exfoliation of graphite/MoS2 anode is comprised of both diffraction peaks of graphene and MoS2.Fig. 8Download : Download high-res image (301KB)Download : Download full-size imageFig. 8. Comparative XRD patterns MoS2/ graphene composite, MoS2 and graphene samples [52].4. Functionalization of graphene with heteroatomsTo achieve better electrical conductivity and electrochemical behavior, graphene sheets doped with heteroatoms (i.e. S, B, N, F, etc.) have attracted attention. In this section, it is tried to review the literature regarding the one-step electrochemical exfoliation and doping of the graphite with heteroatoms. Some information on in-situ exfoliation and functionalization of graphite with heteroatoms is presented in Table 2.A facile electrochemical method to synthesize sulfur-doped graphene (S-GN) was reported by Parveen et al. [63]. The simultaneous exfoliation and S doping of graphite were the results of their study. For the synthesis of GN and S-GN by the electrochemical exfoliation method, the graphite rods were used as both the anode and cathode materials. The electrolyte was prepared by dissolving the mixture of Na2S2O3 + H2SO4 in H2O for both functionalization and exfoliation of graphite, in this study. Electrochemical exfoliation was done by applying an anodic voltage of 5 V under ultra-sonication bath conditions. Fig. 9 shows the XRD patterns, Raman spectra, ID/IG values, and magnified parts of Raman analyses of the GN and S-GN samples. The XRD pattern of GN and S-GN samples indicated that the better exfoliation of the graphite using the mixture of graphite in Na2S2O3 + H2SO4 electrolyte (Fig. 9a). It is worth noting that the Na2S2O3 in the electrolyte was used for functionalization while H2SO4 was utilized for the exfoliation of graphite. As shown in Fig. 9a, the position of the (002) peak in the S-GN sample is at lower angles compared to the GN sample. This observation proves the presence of oxygen and sulfur functional groups on the surface of graphene sheets. Besides, the lower peak intensity of the S-GN, compared with the GN sample, indicates the higher degree of exfoliation of graphite. The Raman spectra of samples (Fig. 9b–e) showed that the ID/IG value for the S-GN sample was about 0.92 while for GN sample was 0.35. The higher ID/IG value is an indication of the functionalization of the graphene with sulfur.Fig. 9Download : Download high-res image (383KB)Download : Download full-size imageFig. 9. (a) The XRD patterns, (b) Raman spectra, (c) peak shifting of the G band, (d) peak shifting of the 2D band, and (e) ID/IG value of the graphene and sulfur-doped graphene, reproduced from [63].In another similar study, Lee et al. [64] used an electrochemical exfoliation technique to synthesize of sulfur-doped graphene nanosheets (SDGNs). The graphite foil as anode and platinum foil as a counter electrodes were used in their investigation. The used solution mixtures of Na2S2O3 + H2SO4 with different volume ratios of 0:1, 3:1, 5:1, and 10:1; the obtained product of electrochemical method in the mentioned electrolytes was respectively called SDGN (0), SDGN (3), SDGN (5), and SDGN (10). For the electrochemical exfoliation, the anodic voltage of 15 V was applied through the simultaneous sonication for 2 h. Their results demonstrated that the highest degree of sulfur doping was achieved for SDGN (5) sample. The presence of Na2S2O3 in electrolytes act as the sulfur doping source. In other words, the carbon atoms in graphene are replaced with sulfur by adding the Na2S2O3 in electrolytes. Fig. 10 shows the TEM images along with EDS mapping. According to the EDS mapping images (Fig. 10d–f), the successful preparation of the few-layered sulfur-doped graphene in the SDGN (5) sample is demonstrated. Fig. 11 indicates the Raman spectra, ID/IG ratios, and magnified parts of Raman spectra of SDGN (0), SDGN (3), SDGN (5), and SDGN (10) samples. As indicated in Fig. 11b, the highest ID/IG value (1.21) has been obtained for the SDGN (5) sample, indicating the higher level of sulfur doping in this sample.
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Ali等。[52]报道了一种通过石墨的电化学剥落合成MoS2 /石墨烯的一步法。为了进行阳极电化学方法,使用连接的块状MoS 2晶体和石墨棒作为阳极。此外,在他们的研究中,铂丝用作阴极,而1 M Na2SO4溶液是电解质。通过施加2 V的阳极电压5分钟,然后施加10 V的分钟电压进行电化学过程。分别对块状MoS2晶体阳极和石墨阳极进行了类似的处理。图8比较了MoS2 /石墨烯复合材料,MoS2和石墨烯样品的XRD图谱。如图8所示,通过石墨/ MoS 2阳极的电化学剥离获得的粉末的XRD图谱由石墨烯和MoS 2的衍射峰组成。<br><br>图8<br>下载:下载高分辨率图像(301KB)下载:下载全尺寸图像<br>图8. MoS2 /石墨烯复合材料,MoS2和石墨烯样品的比较XRD图[52]。<br><br>4.带有杂原子的石墨烯功能化<br>为了获得更好的电导率和电化学行为,掺杂有杂原子(即S,B,N,F等)的石墨烯片引起了人们的关注。在本节中,尝试回顾有关单步电化学剥离和用杂原子掺杂石墨的文献。表2列出了一些石墨与杂原子的原位剥离和功能化的信息。<br><br>Parveen等人报道了一种简便的电化学方法来合成硫掺杂的石墨烯(S-GN)。[63]。他们的研究结果是石墨同时剥落和S掺杂。为了通过电化学剥离法合成GN和S-GN,石墨棒被用作阳极和阴极材料。在本研究中,通过将Na2S2O3 + H2SO4的混合物溶于H2O来制备石墨,以实现石墨的功能化和剥离。通过在超声浴条件下施加5 V的阳极电压进行电化学剥离。图9显示了GN和S-GN样品的XRD图谱,拉曼光谱,ID / IG值以及拉曼分析的放大部分。GN和S-GN样品的X射线衍射图谱表明,使用Na2S2O3 + H2SO4电解质中的石墨混合物可以更好地剥落石墨(图9a)。值得注意的是,电解液中的Na2S2O3用于功能化,而H2SO4用于剥落石墨。如图9a所示,与GN样品相比,S-GN样品中(002)峰的位置处于较低的角度。该观察证明了在石墨烯片的表面上存在氧和硫官能团。此外,与GN样品相比,S-GN的峰强度较低,表明石墨的剥落程度较高。样品的拉曼光谱(图9b-e)表明,S-GN样品的ID / IG值约为0.92,而GN样品的ID / IG值为0.35。<br><br>图9<br>下载:下载高分辨率图像(383KB)下载:下载全尺寸图像<br>图9.(a)XRD图,(b)拉曼光谱,(c)G波段的峰移,(d)从[63]中复制出二维带的峰位移,以及(e)石墨烯和硫掺杂石墨烯的ID / IG值。<br><br>在另一项类似的研究中,Lee等人。[64]使用电化学剥离技术来合成硫掺杂的石墨烯纳米片(SDGNs)。在研究中使用了石墨箔作为阳极,铂箔作为对电极。所使用的Na2S2O3 + H2SO4的混合溶液,其体积比为0:1、3:1、5:1和10:1;将上述电解质中的电化学方法得到的产物分别称为SDGN(0),SDGN(3),SDGN(5)和SDGN(10)。对于电化学剥离,通过同时声处理2 h施加15 V的阳极电压。他们的结果表明,SDGN(5)样品实现了最高程度的硫掺杂。电解质中Na2S2O3的存在是硫的掺杂源。换一种说法,通过在电解质中添加Na2S2O3,石墨烯中的碳原子被硫取代。图10显示了TEM图像以及EDS映射。根据EDS映射图(图10d-f),已证明成功制备了SDGN(5)样品中很少层的硫掺杂石墨烯。图11表示SDGN(0),SDGN(3),SDGN(5)和SDGN(10)样品的拉曼光谱,ID / IG比和拉曼光谱的放大部分。如图11b所示,已为SDGN(5)样品获得了最高的ID / IG值(1.21),表明该样品中的硫掺杂水平更高。证明了成功制备SDGN(5)样品中的几层硫掺杂石墨烯。图11表示SDGN(0),SDGN(3),SDGN(5)和SDGN(10)样品的拉曼光谱,ID / IG比和拉曼光谱的放大部分。如图11b所示,已为SDGN(5)样品获得了最高的ID / IG值(1.21),表明该样品中的硫掺杂水平更高。证明了成功制备SDGN(5)样品中的几层硫掺杂石墨烯。图11表示SDGN(0),SDGN(3),SDGN(5)和SDGN(10)样品的拉曼光谱,ID / IG比和拉曼光谱的放大部分。如图11b所示,已为SDGN(5)样品获得了最高的ID / IG值(1.21),表明该样品中的硫掺杂水平更高。
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Ali等人[52]报告了通过石墨电化学去角质合成MOS2/石墨烯的一步方法。用于执行阳极电化学方法,使用连接的散装MOS2晶体和石墨棒作为阳极。此外,铂丝被用作阴极,1 M Na2SO4溶液是电解质,在他们的研究中。电化学过程通过应用 2 V 的诺迪电压 5 分钟,然后应用 10 V 的分钟进行。对散装的MOS2晶体和石墨阳极也分别采取了类似的方法。图8比较了MOS2/石墨烯复合材料、MOS2和石墨烯样品的XRD图案。如图8所示,石墨/MOS2阳极电化学去角质获得的粉末的XRD模式由石墨烯和MOS2的衍射峰组成。<br><br>图8<br>下载 : 下载高分辨率图像 (301KB) 下载 : 下载全尺寸图像<br>图8。比较XRD图案MOS2/石墨烯复合材料,MOS2和石墨烯样品[52]。<br><br>4. 石墨烯与异原子的功能化<br>为了达到更好的导电性和电化学特性,掺杂杂法石墨烯片(即S、B、N、F等)引起了人们的注意。在本节中,试图回顾有关石墨用异原子的一步电化学去角质和掺杂的文献。表2介绍了石墨与异原子的原位去角质和功能化信息。<br><br>Parveen等人报告了一种合成掺硫石墨烯(S-GN)的简单的电化学方法[63]。石墨同时去角质和S掺杂是他们的研究结果。对于电化学去角质法合成GN和S-GN,石墨棒既用作阳极材料,又用作阴极材料。本研究通过溶解H2O中Na2S2O3+H2SO4的混合物来为石墨的功能化和去角质而准备电解质。电化学去角质是在超声浴条件下应用 5 V 的氧化电压完成的。图 9 显示了 XRD 模式、拉曼光谱、ID/IG 值以及 Gn 和 S-GN 样本拉曼分析的放大部分。GN 和 S-GN 样品的 XRD 模式表明,使用 Na2S2O3 + H2SO4 电解质中的石墨混合物对石墨进行更好的去角质(图 9a)。值得注意的是,电解质中的Na2S2O3用于功能化,而H2SO4用于石墨去角质。如图 9a 所示,与 GN 样本相比,S-GN 样品中 (002) 峰值的位置处于较低角度。这一观测证明石墨烯片表面存在氧和硫功能群。此外,与GN样品相比,S-GN的峰值强度较低,表明石墨去角质程度较高。拉曼样品光谱(图9b+e)显示,S-GN样品的ID/IG值约为0.92,而G
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Ali等人[52]报道了一种通过石墨电化学剥落一步合成MoS2/石墨烯的方法。在阳极电化学方法中,使用连接的大块MoS2晶体和石墨棒作为阳极。此外,在他们的研究中,使用铂丝作为阴极,1M Na2SO4溶液作为电解液。电化学过程是通过施加2v的阳极电压5min,然后10v持续min来进行的。对大块MoS2晶体和石墨阳极也分别进行了类似的处理。图8比较了MoS2/石墨烯复合材料、MoS2和石墨烯样品的XRD图谱。如图8所示,石墨/MoS2阳极电化学剥落所得粉末的XRD图谱由石墨烯和MoS2的衍射峰组成。<br>图8<br>下载:下载高分辨率图像(301KB)下载:下载全尺寸图像<br>图8。比较MoS2/石墨烯复合材料、MoS2和石墨烯样品的XRD图谱[52]。<br>4含杂原子石墨烯的功能化<br>为了获得更好的导电性和电化学性能,掺杂杂原子(即S、B、N、F等)的石墨烯薄膜引起了人们的关注。在这一部分中,我们试图回顾有关石墨一步电化学剥落和掺杂杂原子的文献。关于含杂原子石墨的原位剥落和功能化的一些信息见表2。<br>Parveen等人[63]报道了一种简便的电化学合成硫掺杂石墨烯(S-GN)的方法。石墨同时剥落和硫掺杂是他们研究的结果。在电化学剥落法合成GN和S-GN时,石墨棒同时用作阳极和阴极材料。本研究采用Na2S2O3+H2SO4混合溶液溶解于H2O中制备了石墨功能化和剥落的电解液。在超声波浴条件下,通过施加5v的阳极电压来进行电化学剥落。图9显示了GN和S-GN样品的XRD图案、拉曼光谱、ID/IG值和拉曼分析的放大部分。GN和S-GN样品的XRD图谱表明,石墨在Na2S2O3+H2SO4电解液中的混合物可以更好地剥离石墨(图9a)。值得注意的是,电解液中的Na2S2O3用于功能化,而H2SO4用于石墨剥落。如图9a所示,与GN样品相比,S-GN样品中(002)峰的位置处于较低的角度。这一观察结果证明了石墨烯表面存在氧和硫官能团。此外,S-GN的峰值强度较低,表明石墨的剥落程度较高。样品的拉曼光谱(图9b-e)表明,S-GN样品的ID/IG值约为0.92,而GN样品的ID/IG值为0.35。较高的ID/IG值表明石墨烯具有硫功能化。<br>图9<br>下载:下载高分辨率图像(383KB)下载:下载全尺寸图像<br>图9。(a) XRD图案,(b)拉曼光谱,(c)G波段的峰移,(d)2D波段的峰移,(e)石墨烯和硫掺杂石墨烯的ID/IG值,复制自[63]。<br>在另一个类似的研究中,Lee等人[64]使用电化学剥离技术合成硫掺杂石墨烯纳米片(SDGNs)。采用石墨箔作阳极,铂箔作对电极进行了研究。所用溶液为Na2S2O3+H2SO4,体积比为0:1、3:1、5:1和10:1的混合溶液,在上述电解液中电化学法得到的产物分别称为SDGN(0)、SDGN(3)、SDGN(5)和SDGN(10)。在电化学剥落过程中,采用15v的阳极电压同时超声处理2h,结果表明SDGN(5)样品的硫掺杂程度最高。电解液中Na2S2O3的存在是硫掺杂的来源。换句话说,通过在电解液中加入Na2S2O3,石墨烯中的碳原子被硫取代。图10显示了TEM图像和EDS图。根据EDS图谱(图10d-f),成功地制备了SDGN(5)样品中的几层硫掺杂石墨烯。图11示出了SDGN(0)、SDGN(3)、SDGN(5)和SDGN(10)样品的拉曼光谱、ID/IG比值和拉曼光谱的放大部分。如图11b所示,SDGN(5)样品的ID/IG值最高(1.21),表明该样品中硫掺杂水平较高。<br>
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