It was reported Nb doped BT based s

It was reported Nb doped BT based systems could achieve good dielectric properties at low temperature side due to its Curie peak shifting to lower temperature, but it also decreased the dielectric constant greatly.[22] Therefore, it is expected to explore new BT based dielectrics not only with good temperature stability of dielectric properties in the low temperature side but also possess high dielectric constant.

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据报道，Nb 掺杂的 BT 基系统由于其居里峰移至较低温度，可以在低温侧实现良好的介电性能，但它也大大降低了介电常数。 [22] 因此，期待探索新的BT基电介质，不仅在低温侧具有良好的介电性能温度稳定性，而且还具有高介电常数。

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据报道，Nb掺杂的BT基系统由于居里峰向低温移动，可以在低温侧获得良好的介电性能，但也大大降低了介电常数。[22]因此，人们期望探索新的BT基电介质，不仅在低温侧具有良好的介电性能温度稳定性，而且具有较高的介电常数。<br>

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据报道，铌掺杂的BT基体系由于其居里峰向低温移动，在低温侧可以获得良好的介电性能，但也大大降低了介电常数。[22]因此，有望开发新的BT基电介质，不仅在低温侧具有良好的介电性能温度稳定性，而且具有高介电常数。

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