The low-field Hall resistance changes drastically if the channel width的简体中文翻译

The low-field Hall resistance chang

The low-field Hall resistance changes drastically if the channel width becomes smaller, relative to the radius of curvature of the corners. Figure 67a shows experimental data by Ford et al.77 The solid and dotted curves are for the geometries shown respectively in the upper left and lower right insets of Fig. 67a. Note that these insets indicate the gates with which the Hall crosses are defined electrostatically. The equipotentials in the 2DEG will be smoother than the contours of the gates. The experiment shows a well-developed Hall plateau with superimposed fine structure. At small positive fields RH is either quenched or negative, depending on the geometry. The geometry is seen to affect also the width of the Hall plateau but not the height. In Fig. 67b we give the results of the semiclassical theory for the two geometries in the insets, which should be reasonable representations of the confining potential induced by the gates in the experiment. In the theoretical plot the resistance and the magnetic field are given in units of
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低场霍尔电阻急剧变化,如果沟道宽度变小,相对于该角部的曲率半径。图67A示出了由Ford等al.77实验数据将固体和虚线曲线是分别在左上所示的几何形状,并降低图67A的右插图。请注意,这些插图表示与霍尔十字被静电所定义的大门。在二维电子气的等电位线会比门的轮廓平滑。实验表明发达的大厅高原叠加的精细结构。在小的正场RH要么淬火或负,取决于几何形状。几何形状看到也影响霍尔高原的宽度,而不是高度。在图67B给出了半经典理论的结果对于两个几何的插图,这应该是在实验中门引起的围潜在的合理表示。在理论曲线的电阻和磁场中的单位给出
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如果通道宽度相对于角的曲率半径变小,低场霍尔电阻将发生剧烈变化。图67a显示了福特等人的实验数据。实体曲线和虚线曲线分别用于图67a左上角和右下角的几何形状。请注意,这些内注指示霍尔交叉的闸门是静电定义的。2DEG 中的等值电位将比门的轮廓更平滑。实验表明,霍尔高原发育良好,结构叠加精细。在小正场,RH 是淬火的或负的,具体取决于几何体。几何体也会影响霍尔高原的宽度,但不会影响高度。在图67b中,我们给出了两个几何体的半经典理论的结果,这应该是实验中门诱导的封闭电位的合理表示。在理论图中,电阻和磁场以
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当沟道宽度变小时,相对于拐角的曲率半径,低场霍尔电阻会发生剧烈变化。图67a显示了Ford等人的实验数据。77实线和虚线分别用于图67a左上角和右下角插图中所示的几何结构。注意,这些插图表示霍尔交叉的栅极是静电定义的。2DEG中的等电位比栅极的轮廓更平滑。试验表明,该高原发育良好,具有叠加精细结构。在小的正场下,RH要么淬火,要么为负,这取决于几何形状。几何结构也影响大厅平台的宽度,但不影响高度。在图67b中,我们给出了嵌件中两个几何体的半经典理论的结果,这应该是实验中由栅极引起的限制势的合理表示。在理论图中,电阻和磁场的单位是
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