both high electron mobility and enh

both high electron mobility and enhanced Seebeck coefficient due to energy-dependent carrier scattering as well as strengthened phonon blocking are realized in the composites, which lead to ~38% increase of power factor (PF) besides a large reduction (40% at 300K) of lattice thermal conductivity in the SnxBi2Te2.7Se0.3 based composites as Sn content f ¼ 0.2 wt%. Conse-quently, both high maximum ZT (ZTmax ¼ 1.11 at ~370 K) and large average ZT (ZTave ¼ 1.03 at operative temperature range of 300K–500K) are achieved.

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复合材料中既实现了高电子迁移率， 又由于依赖于能量的载流子 散射而提高了塞贝克系数，并增强了声子阻滞 ，这不仅使功率因数（PF） 大幅降低（在300K时降低了40％），还使功率因数（PF）提高了约38％。 Sn含量为f¼0.2 wt％的SnxBi2Te2.7Se0.3基复合材料的晶格热导率。形成机制 吸收的敷料，无论高的最大ZT（ZTmax¼1.11在〜370 K）和大 平均ZT（ZTave¼1.03在操作温度范围内的300K-500K） 得以实现。

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两者均高电子移动性 和增强的西贝克系数由于能源依赖载体 散射以及加强的磷屏蔽在 复合材料，这导致+38%的功率因数（PF）增加，除了 大降低（300K 时 40%）格子导热性 基于 Sn 含量 f 1/4 0.2 wt% 的基于 SnBi2Te2.7Se0.3 的复合材料康塞- 奇怪的是，高最大值 ZT（ZTmax 1/4 1.11 在 +370 K）和大 平均 ZT （ZTave 1/4 1.03 在工作温度范围为 300K~500K） 实现。

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高电子迁移率 能量相关载流子增强的Seebeck系数 散射和加强声子阻塞在 复合材料，导致功率因数（PF）增加约38%，此外 大幅度降低（300K时为40%）的晶格热导率 SnxBi2Te2.7Se0.3基复合材料，Sn含量f/40.2wt%。康斯- 很明显，最大ZT值很高（约370k时ZTmax为1.11），最大ZT值也很高 平均ZT（工作温度300K-500K时ZTave为1.03） 都实现了。

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