The electrical performance of amorp

The electrical performance of amorphous carbon thin films obtained by the ion beam sputtering of a carbon target in argon has been investigated. It has been shown by the Raman spectroscopy method that these films have a graphite-like structure. It has also been found by conductivity and thermopower studies that the hopping mechanism of conductivity with a variable length of hops over localized states near the Fermi level changes to the mechanism of hopping over the nearest neighbors as the temperature rises from 77 to 190 K. Near room temperature, electrotransport is provided by variable-length hops over localized states at the tail of the valence band.

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已经研究了通过氩气中的碳靶的离子束溅射获得的非晶碳薄膜的电性能。通过拉曼光谱法已经显示出这些膜具有类石墨结构。通过电导率和热功率研究还发现，随着温度从77 K升高到190 K，在费米能级附近的局部状态上具有可变跳变长度的电导率跳跃机制会变为在最近邻域上跳跃的机制。在室温下，电价由价带尾部局部状态上的可变长度跃点提供。

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研究了气态碳目标电束溅射获得的无定形碳薄膜的电性能。拉曼光谱法表明，这些薄膜具有石墨状结构。电导率和热能研究还发现，在Fermi水平附近局部状态上具有可变跃点的电导率跳跃机制，随着温度从77K上升到190K，在距离室温时，电传输由高于华值带尾部局部状态的可变长度跃带提供。

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研究了离子束溅射碳靶制备的非晶碳薄膜的电学性能。拉曼光谱分析表明，这些薄膜具有类石墨结构。导电性和热功率研究还发现，在费米能级附近的局域态上，随着温度从77 K上升到190 K，导电性的跳跃机制变为在最近邻上的跳跃机制，电输运是由价带尾部局域态上的变长跳跃提供的。

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