Imagine two wide electron gas reser

Imagine two wide electron gas reservoirs having a slight difference δn in electron density, which are brought into contact by means of a narrow channel, as in Fig. 42a. A diffusion current J will flow in the channel, carried by electrons with energies between the Fermi energies EF and EF + δμ in the low- and high-density regions. For small δn, one can write for the Fermi energy difference (or chemical potential difference) δμ = δn/ρ(EF), with ρ(EF) the density of states at EF in the reservoir (cf. Section I.D.1). The diffusion constant (or “diffusance”)4 ˜D is defined by J = ˜Dδn and is related to the conductance G by

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想象具有电子密度略有差Δn，其通过窄的信道的装置接触，如在图42A两个宽电子气藏。扩散电流J将在信道，通过电子与费米能量EF和EF +δμ在低和高密度区域之间的能量进行流动。对于小ΔN，可以写的费米能量差（或化学势差）δμ=ΔN/ρ（EF），其中ρ（EF）状态中的EF在容器中的密度（参见第ID1）。扩散常数（或“亮采”）4〜D是由J =~Dδn定义，并与所述电导G由

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想象一下，两个宽电子气池在电子密度上稍有差，通过狭窄的通道接触，如图42a所示。扩散电流J将在通道中流动，由在低密度和高密度区域中由在费米能量EF和EF+之间具有能量的电子携带。对于小 μn，可以写入 Fermi 能量差（或化学电位差） = =n/+（EF），用 +（EF）储液罐中 EF 处状态的密度（参见 I.D.1 节）。扩散常数（或"扩散"）4 [D] 由 J = D_n 定义，并且与电导 G 相关

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想象两个电子密度差δn的宽电子气藏，它们通过窄通道接触，如图42a所示。扩散电流J将在通道中流动，由费米能量EF和EF+δμ之间的电子携带，在低密度和高密度区域。对于小δn，可以写出费米能差（或化学势差）δμ=δn/ρ（EF），其中ρ（EF）是储层中EF处的态密度（参见第I.D.1节）。扩散常数（或“扩散”）4？D由J=？Dδn定义，并与电导G有关

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