我们在此证明，在Bi2Te2.7Se0.3基体中引入少量（0.2wt.

我们在此证明，在Bi2Te2.7Se0.3基体中引入少量（0.2wt.%）纳米结构AgBiSe2作为第二相有助于显著提高绝对热功率和功率因数、相界和有效界面势垒

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We prove here that the introduction of a small amount (0.2wt.%) of nanostructured AgBiSe2 in the Bi2Te2.7Se0.3 matrix as the second phase helps to significantly improve the absolute thermal power and power factor, phase boundary and effective interface barrier

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We demonstrate here that the introduction of a small (0.2wt.%) nanostructure AgBiSe2 as a second phase in the Bi2Te2.7Se0.3 substrate helps to significantly improve absolute thermal power and power factors, phase boundaries, and effective interface potential

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It is shown that the introduction of a small amount of (0.2wt.%) nanostructured agbise2 as the second phase in bi2te2.7se0.3 matrix can significantly improve the absolute thermal power and power factor, the phase boundary and the effective interface barrier

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