FIG.45 (a) Classical ballistic transport through a point contact induc的简体中文翻译

FIG.45 (a) Classical ballistic tran

FIG.45 (a) Classical ballistic transport through a point contact induced by a concentration difference δn, or electrochemical potential difference eV , between source (s) and drain (d). (b) The net current through a quantum point contact is carried by the shaded region in k-space. In a narrow channel the allowed states lie on the horizontal lines, which correspond to quantized values for ky = ±nπ/W, and continuous values for kx. The formation of these 1D subbands gives rise to a quantized conductance. Taken from H. van Houten et al., in “Physics and Technology of Submicron Structures” (H. Heinrich, G. Bauer, and F. Kuchar, eds.). Springer, Berlin, 1988; and in “Nanostructure Physics and Fabrication” (M. Reed and W. P. Kirk, eds.). Academic, New York, 1989. FIG.46 Transmission resonances exhibited by theoretical results for the conductance of a quantum point contact of abrupt (rectangular) shape. A smearing of the resonances occurs at nonzero temperatures (T0 = 0.02EF/kB ≈ 2.8K). The dashed curve is an exact numerical result; the full curves are approximate. Taken from A. Szafer and A. D. Stone, Phys. Rev. Lett. 62, 300 (1989). FIG.47 Resistance as a function of gate voltage for an elongated quantum point contact (L = 0.8 μm) at temperatures of 0.2, 0.4, and 0.8 K, showing transmission resonances. Subsequent curves from the bottom are offset by 1 k. Taken from R. J. Brown et al., Solid State Electron. 32, 1179 (1989).
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图45的(a)古典弹道输运通过由浓度差Δn,或电化学电势差引起的电子伏特的点接触,源极之间(S)和漏极(d)。(b)通过一个量子点接触的净电流是由阴影区域中的k空间中执行。在狭窄的通道被允许状态躺在水平行,其对应于量化值对KY =±Nπ/ W,以及用于KX连续值。这些子带1D的形成产生了量化的电导。从H.面包车敦等人服用,在“亚微米结构的物理与技术”(H.海因里希,G.鲍尔,和F.库查尔,编辑)。施普林格,柏林,1988; 而在“纳米结构物理与虚构”(M. Reed和WP柯克编)。学术,纽约,1989年。<br><br><br><br>图46传输的共振通过突然(矩形)形状的量子点接触的电导理论结果显示出。共振的拖尾效应发生在非零的温度(T0 = 0.02EF / KB≈2.8K)。虚线曲线是精确数值结果; 完整的曲线是近似的。从A Szafer和AD石,物理学服用。牧师快报。62,300(1989)。<br><br><br><br>图47电阻栅极电压在0.2,0.4和0.8的K的温度下的伸长量子点接触(L = 0.8μm)的函数,示出了传输的共振。从底部后续曲线用的1K抵消。从RJ Brown等,固态电子服用。32,1179(1989)。
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图45(a)经典弹道通过浓度差引起点接触的导流(n),或电化学电位差eV,源(s)和排水(d)。(b) 通过量子点接触的净电流由k空间的带沙区携带。在狭窄的通道中,允许状态位于水平线上,与 ky = {n}/W) 的量化值和 kx 的连续值相对应。这些1D子带的形成产生了量化的电导。取自H.van Houten等人,在《亚微米结构的物理与技术》(H.Heinrich,G.Bauer,F.Kuchar,eds.)。斯普林格,柏林,1988年;在"纳米结构物理与制造"(M.里德和W.P.柯克,eds.)。学术,纽约,1989年。<br><br>图46 在突然(矩形)形状的量子点接触的传导理论结果中表现出的透射共振。在非零温度下(T0 = 0.02EF/kB = 2.8K)发生谐振的涂抹。虚线曲线是一个精确的数值结果;完整的曲线是近似的。取自A.Szafer和A.D.斯通,菲斯·莱特牧师。62, 300 (1989).<br><br>图47 电阻作为加长量子点触点(L = 0.8 μm)的栅极电压函数,温度为 0.2、0.4 和 0.8 K,显示传输共振。从底部的后续曲线偏移1 k.取自R.J.Brown等人,固态电子。32, 1179 (1989).
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图45(a)源极和漏极之间的浓度差δn或电化学电位差eV引起的点接触经典弹道传输。(b) 量子点接触的净电流由k空间中的阴影区携带。在窄通道中,允许的状态位于水平线上,对应于ky=±nπ/W的量化值和kx的连续值。这些一维子带的形成产生了量子化电导。摘自H.van Houten等人的《亚微米结构的物理和技术》(H.Heinrich,G.Bauer和F.Kuchar,eds)。斯普林格,柏林,1988;和在“纳米结构物理和制造”(M.里德和W.P.柯克,编辑)。学术界,纽约,1989年。<br>图46突变(矩形)量子点接触电导的理论结果所显示的传输共振。在非零温度下(T0=0.02EF/kB≈2.8K)会出现共振。虚线是一个精确的数值结果,所有的曲线都是近似的。取自A.Szafer和A.D.Stone,Phys。修订版。利特。62300(1989)。<br>图47在0.2、0.4和0.8K温度下,作为拉长量子点接触(L=0.8μm)栅极电压函数的电阻,显示传输共振。从底部开始的后续曲线偏移1K。取自R.J.Brown等人的《固态电子》。321179(1989)。
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