現在、さまざまな酸化物半導体材料が電気化学的手段によって構築および制御されています[3]。 適切な電圧を印加することで、材料内部で作用して欠的简体中文翻译

現在、さまざまな酸化物半導体材料が電気化学的手段によって構築および制御

現在、さまざまな酸化物半導体材料が電気化学的手段によって構築および制御されています[3]。 適切な電圧を印加することで、材料内部で作用して欠陥を引き起こすのに十分な電子を提供でき、欠陥の濃度と状態は、電気化学パラメーター(時間、バイアス、電流など)を変更することで調整できます。 HuiLi et al。最初に、陽極酸化エッチングによってTiウエハー上にTiO2ナノチューブアレイを準備し、次にそれをエチレングリコールで電気化学的に還元して、欠陥の多い黒いTiO2ナノチューブアレイを得ました[4]。
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当前正在通过电化学手段来构建和控制各种氧化物半导体材料[3]。通过施加适当的电压,可以提供足够的电子以在材料内部起作用以引起缺陷,并且可以通过改变电化学参数(时间,偏压,电流等)来改变缺陷的浓度和状态。可以调整。HuiLi等。首先,我们通过阳极氧化刻蚀在Ti晶片上制备了TiO2纳米管阵列,然后用乙二醇进行电化学还原,从而得到了一个富含缺陷的黑色TiO2纳米管阵列[4]。
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目前,各种氧化物半导体材料是通过电化学手段进行构建和控制的[3]。 通过施加适当的电压,可以提供足够的电子来作用于材料内部,造成缺陷,缺陷的浓度和状态可以通过改变电化学参数(时间、偏置、电流等)来调节。 惠利等人。 首先,通过阳极氧化蚀刻在Ti晶圆上制备TiO2纳米管阵列,然后用乙二醇进行电化学还原,从而获得具有大量缺陷的黑色TiO2纳米管阵列[4]。
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现在,各种各样的氧化物半导体材料通过电化学的手段被构筑和控制[3]。通过施加适当的电压,可以提供足够的电子来在材料内部作用引起缺陷,可以通过改变电化学参数(时间、偏压、电流等)来调整缺陷的浓度和状态。HiLietal。首先,通过阳极氧化蚀刻在Ti晶片上准备TiO 2纳米管阵列,然后用乙二醇将其电化学还原,得到了缺陷多的黑色TiO 2纳米管阵列[4]。
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