结论：异常处主要成分为C/O/Si，异物在SD B-Ti下方，在B-T

结论：异常处主要成分为C/O/Si，异物在SD B-Ti下方，在B-Ti成膜前已产生，结合元素成分及MQC与产品表现差异，怀疑有ESD相关将前程无机膜击伤产出（TM10/16出现过类似Issue，其中TM10在改ESD过程中异常消失，TM16调整PVD T0 Robot Fork水平度位置改善）。

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結論：異常の主成分はC/O/Siであり、異物はSD B-Tiの下にあり、B-Ti膜が形成される前に生成したものであり、元素組成、MQC、製品性能の違いと合わせて、 Qiancheng の無機膜に ESD 関連の損傷があると考えられます傷害出力 (TM10/16 でも同様の問題が発生し、ESD 修正プロセス中に TM10 が異常に消失し、TM16 は PVD T0 ロボットフォークレベルの位置を調整して改善しました) 。

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結論：異常箇所の主要成分はC/O/Siであり、異物はSD B-Tiの下にあり、B-Ti成膜前にすでに発生し、元素成分とMQCと製品表現の差異を結合し、ESD関連で前程無機膜損傷を産生した疑いがある（TM 10/16に類似Issueが出現し、その中TM 10はESD変更過程で異常消失し、TM 16はPVD T 0 Robot Fork水平度位置改善を調整する）。

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結論:異常箇所の主成分はC/O/Siであり、異物はSD B-Tiの下にあり、B-Tiの成膜前にすでに発生しており、元素成分とMQCと製品表現の差異を結合し、ESD関連による前途無機膜損傷の発生が疑われる。（TM10/16に類似のIssueが出現し、そのうちTM10はESDを変更する過程で異常に消失し、TM16はPVDt0RR0を調整する

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