Other techniques have been used as

Other techniques have been used as well to fabricate narrow electron gas channels. We mention selective-area ion implantation using focused ion beams,81 masked ion beam exposure, strain-induced confinement,83 lateral p-n junctions, gates in the plane of the 2DEG, and selective epitaxial growth. For more detailed and complete accounts of nanostructure fabrication techniques, we refer to Refs.9 and13,14,15

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其它技术已被用来以及制造窄电子气通道。我们使用聚焦离子提选择性区域离子注入束，81掩蔽的离子束暴露，应变诱导禁闭，83个的横向pn结，在2DEG的平面上，并且选择性外延生长栅极。对于纳米结构制造技术更详细和完整的账户，我们指的是Refs.9 and13,14,15

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其他技术也被用于制造狭窄的电子气体通道。我们提到选择性区域电子植入使用聚焦的电束、81掩蔽的电束照射、应变诱导的封闭、83 个横向 p-n 结、2DEG 平面中的门和选择性外延生长。有关纳米结构制造技术的更详细和完整的描述，请参阅 Refs.9 和 13，14，15

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其他技术也被用来制造窄电子气通道。我们提到选择性区域离子注入使用聚焦离子束，81掩蔽离子束曝光，应变诱导限制，83个横向p-n结，在2DEG平面中的栅极，以及选择性外延生长。有关纳米结构制造技术的更详细和完整的说明，请参阅参考文献9和13、14、15

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