slight increase in hole concentrati

slight increase in hole concentration with increasing f could be ascribed to interfacial defects,25 such as dangling bonds and anti-site defects, and the increase in hole concentration for the composite samples (f  0.3wt.%) probably because more interfacial defects are formed with increasing GaAs content, however, as f increasing further hole concentration decreases due to the agglomeration of the GaAs particles.

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孔浓度随f的增加而略有增加可能归因于界面缺陷25，例如悬空键和反位缺陷，并且复合样品的孔浓度增加（f0.3wt。％）可能是由于更多的界面缺陷然而，随着GaAs含量的增加，随着GaAs颗粒的团聚，随着空穴的增加，空穴浓度进一步降低。

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孔浓度的轻微增加与增加的f可能归因于面间缺陷，25如悬垂键和抗位性缺陷，以及复合样品（f 0.3wt.%）孔浓度的增加，可能是因为更多的面体缺陷随着GaAs含量的增加而形成，但是，随着F增加孔浓度的降低，由于GaAs粒子的聚集而降低。

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空穴浓度随f的增加而略有增加，这可能是由于界面缺陷，如悬垂键和反位缺陷，以及复合样品中空穴浓度的增加（f0.3wt.%）可能是因为随着GaAs含量的增加，形成了更多的界面缺陷，随着f的进一步增加，由于GaAs粒子的团聚，空穴浓度降低。

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