The most detailed study by far of the 2D to 1D crossover of the electr的简体中文翻译

The most detailed study by far of t

The most detailed study by far of the 2D to 1D crossover of the electron-electron interaction effect in narrow channels was made by Choi et al.55 in a GaAs-AlGaAs heterostructure. In Fig. 27 we reproduce some of their experimental traces for channel widths from 156 to 1.1 μm and a channel length of about 300 μm. The weak localization peak in the magnetoresistance is not resolved in this experiment, presumably because the channels are not in the 1D regime for this effect (the 2D weak localization peak would be small and would have a width of 10−4 T). The negative magnetoresistance that they found below 0.1 − 0.2T in the narrowest channels is temperature-independent between 1 and 4K and was therefore identified by Choi et al.55 as a classical size effect. The classical negative magnetoresistance extends over a field range for which 2lcycl >∼W. This effect has been discussed in Section II.A in terms of reduction of backscattering by a magnetic field. The electronelectron interaction effect is observed as a (temperaturedependent) parabolic negative magnetoresistance above 0.1T for the widest channel and above 0.3T for the narrowest one. From the magnitude of the parabolic negative magnetoresistance, Choi et al.55 could find and analyze the crossover from 2D to 1D interaction effects. In addition, they investigated the cross over to 0D by performing experiments on short channels. As seen in Fig. 27, Shubnikov-De Haas oscillations are superimposed on the parabolic negative magnetoresistance at low temperatures and strong magnetic fields. It is noteworthy that stronger fields are required in narrower channels to observe the Shubnikov-De Haas oscillations, an effect discussed in terms of specular boundary scattering by Choi et al. The Shubnikov-De Haas oscillations in narrow channels are discussed further in Section II.F.2.
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迄今为止2D到1D交叉的在窄通道中的电子 - 电子相互作用的效果的最详细的研究是由Choi等al.55在一个GaAs基的AlGaAs异质结构制成。在图27中,我们再现他们的一些实验迹线为沟道宽度从156到1.1微米和大约300微米的沟道长度。在磁阻弱本地化峰没有在该实验中得到解决,这大概是因为信道不是在此效果(2D弱定位峰。将小并且会对10-4 T的宽度)的1D制度。它们低于0.1发现负磁阻 - 0.2T在最窄通道是与温度无关的1和4K之间,因此由Choi等al.55识别为经典尺寸效应。经典的负磁阻在字段范围为哪些2lcycl>到W延伸。此效应在第二节A中还原后向散射的方面由磁场进行了讨论。所述electronelectron相互作用效应被观察为一个(随温度)抛物线负磁阻0.1T以上为最宽的信道和上述0.3T为最窄之一。从抛物线负磁电阻的大小,Choi等al.55可以找到并将从二维交叉分析,以维互动效应。此外,它们通过短通道进行实验研究到0D交叉。如在图27看到的那样,舒勃尼科夫德哈斯振荡叠加在低温和强磁场抛物面负磁阻。值得注意的是,更强的磁场,需要在更窄的信道,观察舒勃尼科夫德哈斯振荡,在由Choi等人镜面边界散射来讨论的效果。在窄通道中的舒勃尼科夫德哈斯振荡在第II.F.2进一步讨论。
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Choi等人55在GaAs-AlGaAs异构结构中进行了迄今为止对窄通道中电子-电子相互作用效应的2D至1D交叉的最详细研究。在图27中,我们再现了它们一些实验轨迹,通道宽度从156到1.1μm,通道长度约为300μm。此实验中未解决磁阻中的弱定位峰值,大概是因为通道不在此效果的 1D 系统中(2D 弱定位峰值较小且宽度为 10⁄4 T)。他们发现在最窄通道中低于0.1~0.2T的负磁阻在1至4K之间与温度无关,因此被Choi等人55确定为经典尺寸效应。经典负磁阻延伸到 2lcycl +W 的场范围内。第二节讨论了这一影响。A 在磁场减少反向散射方面。电子电子相互作用效应被观察为(温度依赖性)抛物面负磁阻高于0.1T的最宽通道和高于0.3T的最窄通道。从抛物面负磁阻的大小,Choi等人可以发现和分析从2D到1D相互作用效应的交叉。此外,他们还通过在短通道上执行实验,对交叉到0D进行了研究。如图27所示,舒布尼科夫-德哈斯振荡叠加在低温和强磁场的抛物面负磁阻上。值得注意的是,较窄的通道需要更强的场来观察舒布尼科夫-德哈斯振荡,Choi等人讨论了镜面边界散射效应。第二节进一步讨论了狭窄通道中的舒布尼科夫-德哈斯振荡。F.2.
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choi等人55在gaas-algaas异质结构中对窄沟道中电子-电子相互作用效应的二维到一维交叉进行了最详细的研究。在图27中,我们再现了一些通道宽度为156到1.1μm,通道长度约为300μm的实验轨迹。在这个实验中,磁阻的弱局部化峰没有被解决,可能是因为这种效应的通道不在1d范围内(2d弱局部化峰很小,宽度为10-4t)。他们发现在最窄的通道中低于0.1-0.2T的负磁电阻与温度无关,介于1和4K之间,因此被Choi et al.55认定为经典尺寸效应经典的负磁阻扩展到2lcycl>w的磁场范围内。在第II.a节中,我们已经讨论了这种效应,即通过磁场减少后向散射。电子-电子相互作用效应表现为:宽沟道的抛物线负磁阻大于0.1t,窄沟道的抛物线负磁阻大于0.3t。从抛物线负磁电阻的大小,Choi等人55可以发现并分析从2D到1D相互作用效应的交叉此外,他们还通过在短信道上进行实验来研究0d的交叉。如图27所示,Shubnikov De Haas振荡叠加在低温和强磁场下的抛物线负磁电阻上值得注意的是,要观察Shubnikov-De-Haas振荡,在较窄的通道中需要更强的场,这是Choi等人根据镜面边界散射讨论的一个效应第II.F.2节进一步讨论了窄通道中的Shubnikov de Haas振荡。<br>
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