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Thin films grown on a NaCl substrat

Thin films grown on a NaCl substrate are usually employed to show the nanostructure of films (usually of hundred nanometers thick grown on Si substrates) under high resolution transmission electron microscopy (HRTEM) tests because it is easier floated off, where the dependability and reasonability has never been seriously contested. Thus, in this paper, thin and thick hydrogen carbon films have been deposited on NaCl (thin films) and Si (thick films) substrates and annealed under from room temperature to 500 °C, of which nanostructures have been investigated by HRTEM, Raman spectroscopy, and X-ray photoelectron spectroscopy, to verify the dependability and reasonability of the NaCl method. The results show heating induced graphitization but with hydrogen content nearly unchanged. HRTEM results reveal that under annealing of 200, 250, and 300 °C, the curved graphene structures gradually increase in films. However, beyond 400 °C, onions structures are present. However, both Raman and XPS spectra show us that after annealed treatment, for original films, both thin and thick films have the near sp2 bonding content and size, but with the annealing temperature increase, sp2 bonding content increases more quickly for thick FL-C:H films due to the higher internal stress compared to thin films. In one word, the NaCl method used for nanostructure detection for films might be a good choice for an easier and quicker analysis, but it is still insufficient, because the heating effect induced by plasma cannot be ignored.
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生长在NaCl底板上,薄膜通常被用于显示的膜(通常是几百纳米厚生长在Si衬底上)在高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)测试,因为它更容易浮起,其中所述可靠性和合理具有纳米结构从来没有被认真地质疑。因此,在本文中,薄和厚的氢碳薄膜已被沉积在氯化钠(薄膜)和Si(厚的膜)的基板和下退火从室温至500℃,其中纳米结构已经由HRTEM,拉曼光谱研究了和X射线光电子能谱,以验证氯化钠方法的可靠性和合理性。结果表明,加热引起的石墨但氢含量几乎不变。HRTEM结果表明下的200,250,和300℃退火,弯曲的石墨烯结构中的膜逐渐增加。然而,超过400℃,洋葱结构存在。然而,无论拉曼和XPS光谱显示我们,退火处理后,对于原来的膜,薄和厚的膜具有近sp2结内容和大小,但随着退火温度的增加,更快速地对厚FL-C sp2结含量增加:由于较高的内部应力相比薄膜H膜。在一个字中,用于纳米结构检测膜NaCl的方法可能是一种更容易和更快分析一个很好的选择,但它仍然是不够的,因为通过等离子体诱发的加热效果不能被忽略。两个拉曼和XPS光谱显示我们,退火处理后,对于原来的膜,薄和厚的膜具有近sp2结内容和大小,但随着退火温度的增加,更快速地对厚FL-C sp2结含量的增加:H膜由于较高的内部应力相比薄膜。在一个字中,用于纳米结构检测膜NaCl的方法可能是一种更容易和更快分析一个很好的选择,但它仍然是不够的,因为通过等离子体诱发的加热效果不能被忽略。两个拉曼和XPS光谱显示我们,退火处理后,对于原来的膜,薄和厚的膜具有近sp2结内容和大小,但随着退火温度的增加,更快速地对厚FL-C sp2结含量的增加:H膜由于较高的内部应力相比薄膜。在一个字中,用于纳米结构检测膜NaCl的方法可能是一种更容易和更快分析一个很好的选择,但它仍然是不够的,因为通过等离子体诱发的加热效果不能被忽略。
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在 NaCl 基板上生长的薄膜通常用于在高分辨率透射电子显微镜 (HRTEM) 测试中显示薄膜的纳米结构(通常在 Si 基板上生长的 100 纳米厚),因为它更容易浮出,因为可靠性和合理性从未受到过严重质疑。因此,在本文中,薄而厚的氢碳薄膜沉积在NaCl(薄膜)和Si(厚膜)基材上,并在室温下退火至500°C,其中纳米结构已由HRTEM、拉曼光谱学和X射线光电子光谱,验证NaCl方法的可靠性和合理性。结果表明,加热诱导石墨化,但氢含量几乎不变。HRTEM结果表明,在200、250和300°C的退火下,曲面烯结构在薄膜中逐渐增大。然而,超过400°C,洋葱结构存在。然而,拉曼和XPS光谱都向我们表明,在退火处理后,对于原始薄膜,薄片和厚膜都有接近sp2的粘接内容和尺寸,但随着退火温度的增加,sp2粘接含量增加得更快,厚FL-C:H 薄膜由于内部应力高于薄膜。总之,用于薄膜纳米结构检测的NaCl方法可能是一个更容易和更快的分析的好选择,但它仍然是不够的,因为等离子体引起的加热效应不容忽视。
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在nacl衬底上生长的薄膜在高分辨透射电子显微镜(hrtem)测试下通常被用来显示薄膜的纳米结构(通常是在si衬底上生长的100纳米厚),因为它更容易漂浮,其可靠性和合理性从未受到严重质疑。因此,本文在NaCl(薄膜)和Si(厚膜)衬底上制备了厚薄的氢碳薄膜,并在室温至500℃下进行了退火处理,用高分辨透射电镜、拉曼光谱和X射线光电子能谱研究了其纳米结构。验证nacl法的可靠性和合理性。结果表明,加热使石墨化,但氢含量基本不变。hrtem结果表明,在200、250和300℃退火下,薄膜中的弯曲石墨烯结构逐渐增加。然而,超过400°C时,洋葱结构出现。然而,拉曼光谱和xps光谱都表明,退火处理后,对于原始薄膜,薄膜和厚膜都具有接近sp2键合的含量和尺寸,但是随着退火温度的升高,厚膜fl-c:h的sp2键合含量由于内应力比薄膜高而增加得更快。总之,nacl法用于薄膜纳米结构的检测是一种简便、快速的分析方法,但由于等离子体的加热效应不可忽视,因此它仍然是一种不足的方法。<br>
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