Composites f(a-Si3N4)/BiSbTe (f ¼ 0

Composites f(a-Si3N4)/BiSbTe (f ¼ 0, 0.22, 0.44 and 0.88 vol%)were prepared, and their thermoelectric properties were studiedat temperatures from 303 to 483 K. The results indicate thatalthough electrical resistivity increases with increasing a-Si3N4content due to the decrease in both carrier concentrations andcarrier mobility, Seebeck coefficient increases substantially atT < 370 K owing to decrease in carrier concentrations andincrease in scattering parameter. Specially, incorporation ofa-Si3N4 nanoparticles into BiSbTe signicantly reduces thethermal conductivity of composite samples due to enhancedphonon scattering by the nanoparticles and the phase boundaries. As a result, ZT of f(a-Si3N4)/BiSbTe with f ¼ 0.44 vol%reaches 1.20 at 303 K (which is larger than that (1.01) of BiSbTematrix in the present study), and specically its maximum ZTreaches 1.38 at 383 K, which is round 8% larger than that (1.28)of BiSbTe matrix. Present results suggest that incorporation ofamorphous nanoparticles into thermoelectric materials, suchas BiSbTe-based alloys, be an effective way to enhancing theirthermoelectric performance

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制备了复合材料f（a-Si3N4）/ BiSbTe（f¼0、0.22、0.44和0.88 vol％） ，并 在303至483 K的温度下研究了其热电性能。结果表明， 尽管电阻率随a的增加而增加。 -Si3N4 含量由于载流子浓度和 载流子迁移率的降低而导致，塞贝克系数在 T <370 K时显着 增加，这是由于载流子浓度的降低和散射参数的增加。特别是，将 a-Si3N4纳米粒子掺入BiSbTe中会显着降低 复合样品的导热系数，这是由于增强了 声子通过纳米粒子的散射和相界。结果， 在303 K时，f（α-Si3N4）/ BiSbTe的ZT在1/4 K时达到1.20（大于 本研究中BiSbTe 基质的（1.01）），并且特别是其最大ZT 在383 K时达到1.38，比 BiSbTe矩阵的（1.28）大8％。目前的结果表明，将 无定形纳米粒子掺入热电材料（例如 BiSbTe基合金）中，是增强其 热电性能的有效方法。

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复合材料 f（a-Si3N4）/双字节（f 1/4 0、0.22、0.44 和 0.88 卷） 准备，并研究其热电性能 温度从303到483 K。结果表明， 虽然电阻率随着 a-Si3N4 的增加而增加 内容由于两个载波浓度的降低和 载波移动性，西贝克系数显著增加， T = 370 K，由于载波浓度下降和 散射参数的增加。特别地，纳入 a-Si3N4 纳米粒子进入 BiSbTe 符号 - 可不由前减少 增强后复合样品的导热性 由纳米粒子和相边界进行声农散射。因此，ZT f（a-Si3N4）/比斯贝特与f 1/4 0.44 vol% 达到 1.20 在 303 K （这是大于（1.01）的 BiSbTe 矩阵在本研究中），和规格 + 调用其最大 ZT 达到1.38在383 K，这是圆8%大于那（1.28） 的比斯贝特矩阵。目前的结果表明，纳入 无定形纳米粒子进入热电材料，如 作为基于 BiSbTe 的合金，是增强其 热电性能

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复合材料f（a-Si3N4）/BiSbTe（f/0、0.22、0.44和0.88 vol%） 制备并研究了它们的热电性能 在303到483K的温度下，结果表明 虽然电阻率随a-Si3N4的增加而增加 由于载体浓度和 载流子迁移率，Seebeck系数在 由于载流子浓度降低和 散射参数增加。特别是 将a-Si3N4纳米颗粒引入BiSbTe中，显著降低了 增强复合材料样品的导热系数 纳米颗粒与相界的声子散射。结果，f（a-Si3N4）/BiSbTe的ZT与f的体积比为0.44% 303k时达到1.20（大于BiSbTe的1.01 本研究中的矩阵）及其最大ZT 在383K时达到1.38，比1.28大约8% 二重矩阵。目前的结果表明 将非晶态纳米粒子转变成热电材料，如 作为BiSbTe基合金，是提高其性能的有效途径 热电性能

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