The Figure 6b shows the current density-electrical field graph of MLV 的简体中文翻译

The Figure 6b shows the current den

The Figure 6b shows the current density-electrical field graph of MLV composite that is plotted according to Equation 3 as a function of temperature from -50 to 75 °C. The activation energy of ZnO-PEI multilayer composite calculated from Figure 6c is 0.50 eV, which is in good agreement with activation energies of ZnO- metal oxides based varistors.39 The difference between this value and the earlier value obtained from modulus spectroscopy is thought to be due to a difference in measurement methods, as it is well known in research on semiconductors.40 Another possible reason is that energy barrier attributed to the 0.50 eV was not observed in Fig.5 because it was outside the measured temperature-frequency range. Unfortunately, the temperature range of Fig.5 was limited by the stability of PEI and the frequency lower than 0.01 Hz was also unrealistic for the spectroscopic measurement. In any case, it remains true that ZnO/PEI interface formed a potential barrier providing the enhanced resistance and non-linear I-V characteristics. Thus, we avoid further discussion in this paper. Beyond all discussion, it is important to point out that the Figure 4 and 6 reflect the main idea of this novelty and it is an excellent facility to demonstrate micro/nano structure - electrical property relationship by the grain boundary engineering.
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图6b显示了根据公式3绘制的MLV复合材料的电流密度-电场图,该图是温度从-50到75°C的函数。由图6c计算得出的ZnO-PEI多层复合材料的活化能为0.50 eV,这与ZnO-金属氧化物基压敏电阻的活化能非常吻合。39该值与通过模量光谱法获得的较早值之间的差异被认为是40另一个可能的原因是,在图5中未观察到归因于0.50 eV的能垒,因为它不在测得的温度-频率范围内。不幸的是,图5的温度范围受到PEI的稳定性和低于0的频率的限制。对于光谱测量,01 Hz也是不现实的。无论如何,ZnO / PEI界面形成势垒提供了增强的电阻和非线性IV特性仍然是正确的。因此,我们避免在本文中进行进一步讨论。除了所有讨论之外,重要的是要指出,图4和6反映了这种新颖性的主要思想,并且它是通过晶界工程来演示微/纳米结构-电特性关系的绝佳工具。
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图6b显示了MLV复合材料的电流密度-电场图,该图根据方程3绘制为温度从-50°C到75°C的函数。根据图6c计算的ZnO-PEI多层复合材料的活化能量为0.50 eV, 与ZnO-金属氧化物基变频器的活化能量非常一致。 39 该值与从模量光谱学中获得的早期值之间的差值被认为是由于测量方法的差异,这在半导体研究中是众所周知的。不幸的是,图5的温度范围受到PEI稳定性的影响,低于0.01Hz的频率对于光谱测量也是不现实的。无论如何,ZnO/PEI 接口形成了一个潜在的屏障,提供了增强的电阻和非线性 I-V 特性。因此,我们避免在本文中进一步讨论。除了所有讨论之外,重要的是指出图4和图6反映了这种新颖性的主要思想,它是通过谷物边界工程展示微/纳米结构-电气属性关系的优秀工具。
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图6b所示为MLV复合材料的电流密度-电场图,该图根据方程3绘制,作为-50至75°C温度的函数。根据图6c计算的ZnO-PEI多层复合材料的激活能为0.50 eV,这与基于ZnO金属氧化物的压敏电阻器的活化能非常一致。39该值与先前从模量谱学中获得的值之间的差异被认为是由于测量方法的不同,正如在半导体研究中众所周知的那样。40另一个可能的原因是,图5中没有观察到归因于0.50 eV的能垒,因为它超出了测量的温度频率范围。不幸的是,图5的温度范围受到PEI稳定性的限制,低于0.01hz的频率对于光谱测量也是不现实的。在任何情况下,ZnO/PEI界面形成了一个势垒,提供了增强的电阻和非线性I-V特性。因此,我们避免在本文中进一步讨论。除此之外,还需要指出的是,图4和图6反映了这一新颖性的主要思想,它是通过晶界工程演示微/纳米结构-电性能关系的极好工具。
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