发现划痕sun'sh

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In this paper, the molecular dynamics method is used to simulate the scratching process of abrasive particles on the surface of the GaAs wafer. The simulation was conducted from the aspects of abrasive grain size, scratch depth, and anisotropy of gallium arsenide. The scratch damage is based on such factors as the width of the scratch, the amount of uplift, and the coefficient of friction

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In this paper, molecular dynamics is used to simulate the grinding process of grinding grains on the surface of the gallium gallium gallium wafer. From the grinding particle size, scratch depth, arsenide of the anisotropy aspects of the simulation. Scratch damage is based on scratch width, bulge, coefficient of friction and other factors

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In this paper, molecular dynamics method is used to simulate the scratch process of abrasive particles on GaAs wafer surface. Simulation is carried out from the aspects of abrasive particle size, scratch depth and anisotropy of GaAs. Scratch damage is based on scratch width, bulge, friction coefficient and other factors<br>

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