：双氧水浓度控制纳米金属铜颗粒硅片表面沉积的疏密程度和停留时间

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: The concentration of hydrogen peroxide controls the density and residence time of the surface deposition of nano-metal copper particles on silicon wafers

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: The concentration of hydrogen peroxide controls the degree of privacy and dwell time of the surface deposition of nanometallic copper particles silicon wafers

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The density and residence time of nano copper particles on silicon wafers are controlled by hydrogen peroxide concentration<BR>

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