这两种方法制得的硅片在600nm波长的反射率分别为19.5%和12%，

这两种方法制得的硅片在600nm波长的反射率分别为19.5%和12%，比传统酸刻蚀金刚线切割多晶硅的要低的多，如图所示

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The reflectance of silicon wafers made by these two methods at 600nm wavelength is 19.5% and 12%, respectively, which is much lower than that of traditional acid-etched diamond wire-cut polysilicon, as shown in the figure.

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The reflectivity of the silicon wafers produced by these two methods at 600nm wavelengths is 19.5% and 12%, respectively, much lower than that of conventional acid etching orgined polysilicon cutting, as shown in the figure.

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The reflectivity of silicon wafers prepared by these two methods are 19.5% and 12% respectively at 600nm wavelength, which is much lower than that of conventional acid etching diamond wire cut polysilicon, as shown in the figure

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