本文采用分子动力学的方法，模拟磨粒在shen

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Based on the anisotropic gallium arsenide material, this paper studies the scratch process and provides theoretical support for the suppression of the formation of scratches on the wafer surface. Start with the formation mechanism and provide a way to reduce scratches.

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This paper is based on the anisotropy arsenide material to carry out the study of the scratching process, for the wafer surface to suppress the formation of scratches to provide theoretical support. Starting with the formation mechanism, it provides a way to reduce scratches.

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Based on the anisotropic GaAs material, the scratch process is studied in this paper, which provides theoretical support for the formation of scratch inhibition on the wafer surface. Starting from the formation mechanism, the method of reducing scratches is provided.<br>

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