These FETs should be rated for the

These FETs should be rated for the maximum:• Voltage, which should be approximately 5 V (DC) 10 V (peak) per series cell: for example, 40 V.• Current, which should be calculated based on both the maximum DC current and the maximumtransient current with some margin: for example, 30 A.• Power Dissipation, which can be a factor of the RDS(ON) rating of the FET, the FET package,and the PCB design: for example, 5 W, assuming 5 mΩ RDS(ON).

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这些FET的最大额定值应为： •电压，应约为5 V（DC），每个串联电池10 V（peak）：例如40V。 •电流，应根据最大DC电流来计算最大 瞬态电流并具有一定的裕度：例如30A。 •功耗，可能是FET，FET封装 和PCB设计的RDS（ON）额定值的一个因素：例如5 W，假设RDS（ON）为5mΩ。

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These FETs should be rated for the maximum: • Voltage, which should be approximately 5 V (DC) 10 V (peak) per series cell: for example, 40 V. • Current, which should be calculated based on both the maximum DC current and the maximum transient current with some margin: for example, 30 A. • Power Dissipation, which can be a factor of the RDS(ON) rating of the FET, the FET package, and the PCB design: for example, 5 W, assuming 5 mΩ RDS(ON).

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这些FET的最大额定值应为： •电压，每个串联单元大约为5 V（直流）10 V（峰值）：例如40 V。 •电流，应根据最大直流电流和最大 有一定裕度的瞬变电流：例如30A。 •功耗，可以是场效应晶体管、场效应晶体管封装的RDS（ON）额定值的一个因素， 以及PCB设计：例如，5w，假设5MΩRDS（开）。

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