For further research, we use superconducting magnet to identify the 2D的简体中文翻译

For further research, we use superc

For further research, we use superconducting magnet to identify the 2D superconductivity of these grown ultrathin Mo2C films. Fig. 3a shows the temperature dependence of resistivity of these grown Mo2C films with several thickness. As a superconducting material, the 2D Mo2C films usually show the onset temperature (Tonset) of superconductivity at 2-6 K.11,15,16 We perform variable temperature electrical measurements to test the conductivity of the grown Mo2C films. This 2.3 nm film shows the onset temperature of conductivity at 5.36 K, shown in the inset in Fig. 3a, and the temperature of zero resistance is about 5 K, which is much thinner than those Mo2C crystals fabricated by one-step CVD method. The critical transition temperature (Tc) of this film is 5.2 K, defined as the temperature where the resistance of the film drops to 10% of its resistance at normal state.
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为了进一步研究,我们用用超导磁体,以确定这些生长的超薄的Mo2C薄膜的二维超导电性。图3a示出了这些生长的Mo2C膜的电阻率随几个厚度的温度依赖性。作为超导材料,所述2D Mo2C的膜通常显示出超导性在2-6 K.11,15,16起始温度(T起始)正进行可变温度的电测量来测试生长Mo2C的膜的导电性。此2.3nm的膜示出了导电性的起始温度在5.36 K,在图3a中的插图中所示,和零电阻温度为约5 K,其比那些Mo2C的晶体制造通过一步CVD法更薄。该薄膜的临界转变温度(Tc)为5.2 K,
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为了进一步研究,我们使用超导磁体来识别这些生长的超薄Mo2C薄膜的2D超导性。图3a显示了这些生长的Mo2C薄膜具有多种厚度的电阻率的温度依赖性。作为超导材料,2D Mo2C 薄膜通常以 2-6 K.11,15,16 显示超导的发病温度 (Tonset), 我们执行可变温度电气测量,以测试生长的 Mo2C 薄膜的电导率。这种2.3纳米薄膜显示电导率在5.36 K的发病温度,如图3a的内部所示,零电阻的温度约为5K,比一步CVD方法制造的Mo2C晶体要薄得多。此薄膜的临界过渡温度 (Tc) 为 5.2 K,定义为薄膜电阻在正常状态下降至电阻的 10% 的温度。
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为了进一步的研究,我们用超导磁体来鉴定这些生长的超薄Mo2C薄膜的二维超导电性。图3a示出了这些生长的具有多个厚度的Mo2C薄膜的电阻率的温度依赖性。作为一种超导材料,2dmo2c薄膜通常在2-6k时表现出超导电性的起始温度(Tonset)。我们对生长的Mo2C薄膜进行了变温电学测试。该2.3nm薄膜显示了5.36k时的电导起始温度,如图3a中的插图所示,零电阻温度约为5k,比一步CVD法制备的Mo2C晶体要薄得多。该薄膜的临界转变温度(Tc)为5.2k,定义为薄膜电阻在正常状态下下降到其电阻的10%的温度。
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