In addition, another deficiency is that the drawing-voltage of THz gra的简体中文翻译

In addition, another deficiency is

In addition, another deficiency is that the drawing-voltage of THz graphene modulators isgenerally as high as several tens of volts [13,17]. Given all these dynamic devices are controlled bymanipulating the carrier concentration of graphene, enhancing doping efficiency will be a crucial pointto realize deep tunable elements with low voltage. Compared with conventional materials adopted, thesolid electrolyte is one of the attractive options for high-capacity donors applied in THz. For instance,the capacitance of solid electrolyte (10 µFcmm 2) is ≈800 times higher than that of the 300 nm SiO2plate capacitor [18–20]. Moreover, unlike high-k dielectrics (1 to 2 µFcmm 2) [21–26], solid electrolyteswould not have problems due to the strict constraints of the growth environment or the processingconditions [27]. Aside from this, it was reported that the solid electrolyte also had superior advantagesincluding transparency, good mechanical flexibility, fatigue stability, electrochemical, and thermalstability [28–30].In this work, we propose an effective THz configuration comprised of metamaterials,solid electrolyte, and graphene to realize dynamical modulation of device transmittance. By using thesolid electrolyte top gate, we can obtain a highly doped graphene membrane with activity tunablecarrier densities via small gate voltage. Moreover, it has been experimentally verified that a maximumMD of 53% is achieved within 5 V of gate voltages with this device. Besides, the fabrication ofthis device demands inexpensive equipment. This architecture provides a feasible approach foroptimizing THz active modulation performance with single-layer graphene. Additionally, because theflower-shaped structure in this work is considered a kind of customized metamaterial, it could bereplaced corresponding to a specific application in the future.
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另外,另一个缺点是太赫兹石墨烯调制器的汲取电压<br>通常高达几十伏[13,17]。鉴于所有这些动态器件都是通过<br>控制石墨烯的载流子浓度来控制的,因此提高掺杂效率将是<br>实现低电压深可调元件的关键。与采用的传统材料相比,<br>固体电解质是太赫兹应用中大容量供体的诱人选择之一。例如,<br>固体电解质的电容(10 µFcmm 2 <br>)比300 nm SiO2<br>平板电容器的电容大约高800倍[18-20]。此外,与高k电介质(1至2 µFcmm 2 <br>)[21–26]不同,固体电解质<br>由于生长环境或加工<br>条件的严格限制,它们不会有问题[27]。除此之外,据报道,固体电解质还具有优越的优势,<br>包括透明性,良好的机械柔韧性,疲劳稳定性,电化学和热<br>稳定性[28-30]。<br>在这项工作中,我们提出了一种由超材料,<br>固体电解质和石墨烯组成的有效THz配置,以实现器件透射率的动态调制。通过使用<br>固体电解质顶栅,我们可以<br>通过较小的栅电压获得具有活性可调载流子密度的高掺杂石墨烯膜。而且,已经通过实验验证了最大<br>用该器件在5 V的栅极电压内可达到53%的MD。此外,<br>该装置的制造需要廉价的设备。该架构为<br>利用单层石墨烯优化THz有源调制性能提供了一种可行的方法。此外,由于<br>该作品中的花形结构被认为是一种定制的超材料,因此将来可以根据<br>特定的应用替换它。
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此外,另一个缺陷是THz石墨烯调制器的绘图电压是<br>通常高达几十伏特[13,17]。鉴于所有这些动态设备都由<br>操纵石墨烯的载体浓度,提高掺杂效率将是一个至关重要的点<br>实现低电压的深度可调谐元件。与采用的传统材料相比,<br>固体电解质是THz中适用于大容量捐赠者的诱人选择之一。例如,<br>固体电解质的电容(10 μFcmm 2<br>)≈ 300 nm SiO2 的 800 倍<br>板电容器 [18[20]。此外,与高电介电(1 至 2 μFcmm 2<br>) [21[26],固体电解质<br>由于生长环境或加工的严格限制,不会出现问题<br>条件 [27].除此之外,据报道,固体电解质也有优越的优势<br>包括透明度、良好的机械灵活性、疲劳稳定性、电化学和热<br>稳定性 [28[30]。<br>在这项工作中,我们提出了一个由超材料组成的有效的THz配置,<br>固体电解质,和石墨烯实现设备传输的动态调制。通过使用<br>固体电解质顶门,我们可以获得一个高度掺杂石墨烯膜与活性可调<br>通过小栅极电压的载波密度。此外,它已被实验验证,最大<br>使用本器件的电源电压为 5 V 以内,MD 达到 53%。此外,捏造<br>这种设备需要便宜的设备。此体系结构提供了一种可行的方法,用于<br>利用单层石墨烯优化THz有源调制性能。此外,因为<br>花形结构在这项工作被认为是一种定制的超材料,它可以<br>将来替换到特定应用程序。
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另外,THz石墨烯调制器的拉伸电压是<br>一般高达几十伏[13,17]。所有这些动态装置都是由<br>控制石墨烯的载流子浓度,提高掺杂效率将是关键<br>实现低电压深调谐元件。与传统材料相比<br>固体电解质是THz高容量供体的理想选择之一。例如,<br>固体电解质的电容(10µFcmm 2<br>)是300纳米二氧化硅的800倍<br>平板电容器[18–20]。此外,与高k电介质不同(1至2µFcmm 2<br>)[21–26],固体电解质<br>不会因为生长环境或加工的严格限制而出现问题<br>条件[27]。除此之外,据报道固体电解质也有优越的优点<br>包括透明性、良好的机械柔韧性、疲劳稳定性、电化学和热稳定性<br>稳定性[28–30]。<br>在这项工作中,我们提出了一种由超材料组成的有效太赫兹结构,<br>固体电解质、石墨烯实现器件透射率的动态调制。通过使用<br>固体电解质顶栅,可以得到活性可调的高掺杂石墨烯膜<br>通过小栅电压的载流子密度。此外,实验证明<br>利用该器件,在5v的栅电压范围内实现了53%的MD。此外,制造<br>这种装置需要便宜的设备。该体系结构为<br>用单层石墨烯优化THz有源调制性能。另外,因为<br>花形结构被认为是一种定制的超材料,它可以<br>替换对应于将来的特定应用程序。<br>
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