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Figure 66 shows the precursor of th

Figure 66 shows the precursor of the classical Hall plateau (the 乬last plateau乭) in a relatively wide Hall cross. The experimental data (solid curve) is from a paper by Simmons et al.178 The semiclassical calculation (dashed curve) is for a square-well confining potential of channel width W = 0.8 兪m (as estimated in the experimental paper) and with the relatively sharp corners shown in the inset. The Fermi energy used in the calculation is EF = 14meV, which corresponds (via ns = EFm/兾丳h2) to a sheet density in the channel of ns = 3.9 亊 1015m.2, somewhat below the value of 4.9 亊 1015m.2 of the bulk material in the experiment. Good agreement between theory and experiment is seen in Fig. 66. Near zero magnetic field, the Hall resistance in this geometry is close to the linear result RH = B/ens for a bulk 2DEG (dotted line). The corners are sufficiently smooth to generate a Hall plateau via the guiding mechanism discussed in Section III.E.1. The horn collimation effect, however, is not sufficiently large to suppress RH at small B. Indeed, the injection/acceptance cone for this junction is considerably wider (about 115.) than the maximal angular opening of 90. required for quenching of the Hall effect via the scrambling mechanism describedin Section III.E.1.
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图66示出了经典的霍尔高原(所述乬最后高原乭)的在相对宽的霍尔交叉的前体。实验数据(实线)是从纸通过Simmons等al.178的半经典计算(虚线)为沟道宽度W = 0.8兪米(推定值在实验纸)的平方阱限制电位,并用在插图中示出的相对尖锐的角。在计算中使用的费米能量是EF = 14MeV的,其对应(通过纳秒= EFM /兾丳H2)到片材密度,单位:ns = 3.9亊1015m.2的通道内,略低于4.9亊1015m.2值在实验中的散装材料。理论和实验之间的良好的一致性被认为是在图66近零磁场,在该几何结构的霍尔电阻接近线性结果RH = B / ENS用于散装2DEG(虚线)。角部足够光滑,以产生通过节III.E.1讨论的导向机构的霍尔高原。喇叭准直效果,但是,不足够大,在小B.抑制RH实际上,对于该接合处注入/接收锥比为霍尔淬火所需的90的最大角度开口宽得多(约115)经由describedin节III.E.1加扰机制作用。
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图66显示了古典霍尔高原([最后高原)》在相对宽的大厅十字架上的前身。实验数据(实心曲线)来自 Simmons 等人的论文 178 半经典计算(虚线曲线)用于通道宽度 W = 0.8 °m(如实验论文中估计)的平方井限制电位,以及内写所示的相对锐角。计算中使用的 Fermi 能量为 EF = 14meV,它对应于 ns 通道中的板材密度 = 3.9 = 1015m.2,略低于实验中散装材料的 4.9 ± 1015m.2 值。如图66所示,理论与实验之间的良好一致。接近零磁场时,此几何体的霍尔电阻接近散装 2DEG(虚线)的线性结果 RH = B/en。角足够平滑,通过第三节中讨论的引导机制生成霍尔高原。E.1. 然而,喇叭准直效应不足以抑制小B处的RH。事实上,此交汇点的喷射/接受锥比最大角度开口 90 宽得多(约 115. 。需要通过第三节中所述的加扰机制淬火霍尔效应。E.1.
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图66显示了一个相对较宽的大厅交叉处的古典大厅平台(最后一个平台)的前身。实验数据(实心曲线)来自Simmons等人的论文178。半经典计算(虚线曲线)是针对通道宽度W=0.8兪m(如实验文件中估计的)的方形井限制电位,其相对锐角如插图所示。计算中使用的费米能量为EF=14meV,相当于(通过ns=EFm/兾丳h2)ns=3.9亊1015m.2通道中的片密度,略低于实验中大块材料的4.9亊1015m.2。理论和实验之间的良好一致性如图66所示。在接近零磁场的情况下,该几何结构中的霍尔电阻与大块2DEG(虚线)的线性结果RH=B/ens接近。拐角足够光滑,可通过第III.E.1节中讨论的导向机构形成霍尔平台。然而,喇叭准直效应不足以抑制小B处的RH。事实上,该结的注入/接受锥比最大角开度90要宽得多(约115)。通过第III.E.1节中描述的加扰机制淬火霍尔效应所需。
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