ExperimentalMolybdenum nitride film

ExperimentalMolybdenum nitride films were deposited by R.F. (13.56 MHz) reactive magnetron sputtering in an NORDIKO 3500 system as described in a previous paper. The target is a 100 mm diameter disk of pure molybdenum (purity 99.98 at.%). The chamber is pumped down via a cryogenic pump backed by a primary pump, allowing a residual vacuum of about 10−7 mbar. Argon (working gas) and nitrogen (reactive gas) were introduced into the chamber through a mass flow controller, while the absolute working pressure was fixed at 5× 10−3 mbar. The gas pressure was measured using a BOC EDWARDS gauge. The nitrogen partial pressures reach values of 20%, 30%, 40% and 50% of the absolute working pressure. The target to substrate distance was about 170 mm with an angle of 30°, with respect to the substrate normal. The R.F. power density on the cathode was fixed at 3.18 W·cm−2, with the R.F. voltage on the target fixed at 800 V. All depositions were performed at room temperature.

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實驗性<br>如前文所述，在NORDIKO 3500系統中通過RF（13.56 MHz）反應磁控濺射沉積氮化鉬膜。目標是直徑為100毫米的純鉬圓盤（純度為99.98 at。％）。通過主泵支持的低溫泵將腔室抽空，從而允許約10-7 mbar的殘餘真空。通過質量流量控制器將氬氣（工作氣體）和氮氣（反應氣體）引入腔室，同時絕對工作壓力固定為5×10-3 mbar。使用BOC EDWARDS壓力表測量氣壓。氮氣分壓達到絕對工作壓力的20％，30％，40％和50％。相對於基板法線，目標到基板的距離約為170 mm，角度為30°。陰極上的RF功率密度固定為3.18 W·cm-2，

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實驗。<br>如前一篇論文所述,R.F.(13.56 MHz)反應磁龍在NORDIKO 3500系統中濺射沉積了氮化物薄膜。目標是一個直徑為 100 mm 的純摩爾(純度為 99.98 在.%)腔室通過由主泵支援的低溫泵泵下,允許殘餘真空約 10~7 mbar。通過品質流量控制器將 Argon(工作氣體)和氮氣(反應氣體)引入腔室,而絕對工作壓力固定在 5× 10×3 mbar。使用 BOC EDWARDS 儀錶測量氣壓。氮氣部分壓力達到絕對工作壓力的20%、30%、40%和50%以上。與基板法線一樣,基板距離目標約為170 mm,角度為30°。陰極上的 R.F. 功率密度固定在 3.18 W+cm+2,目標上的 R.F. 電壓固定在 800 V。所有沉積都是在室溫下進行的。

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實驗性的<br>如前一篇論文所述，在NORDIKO 3500系統中用射頻（13.56mhz）反應磁控濺射沉積了氮化鉬薄膜。靶是直徑為100 mm的純鉬圓盤（純度為99.98 at.%）。腔室通過一個由主泵支持的低溫泵向下泵送，允許大約10−7 mbar的殘餘真空。氬氣（工作氣體）和氮氣（反應氣體）通過質量流量控制器引入氣室，而絕對工作壓力固定在5×10−3 mbar。氣體壓力是用BOC-EDWARDS壓力計量測的。氮氣分壓分別達到絕對工作壓力的20%、30%、40%和50%。靶-基片距離約為170mm，與基片法線成30°角。陰極上的射頻功率密度固定在3.18 W·cm−2，靶上的射頻電壓固定在800 V。所有沉積都在室溫下進行。

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