欠陥のワンステップ構築は、適切な手段によって達成されます。つまり、欠陥

欠陥のワンステップ構築は、適切な手段によって達成されます。つまり、欠陥の形成メカニズムが合成プロセス中に導入され、結果として得られる材料自体に欠陥が含まれます。 Jinhua Ye et al。W源としてWCl6を、溶媒としてエタノールを使用して、低原子価WのW18O49超長ナノワイヤーを合成しました[5]。同様に、この方法で合成パラメータを制御することにより、欠陥の状態と内容を制御することも可能です。

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通过适当的手段可以一步一步构建缺陷。即，在合成过程中引入了缺陷形成机理，并且所得材料本身包含缺陷。叶金华等。我们以WCl6为W源，乙醇为溶剂，合成了低价W的W18O49超长纳米线[5]。类似地，可以通过以这种方式控制合成参数来控制缺陷的状态和含量。

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通过适当的手段实现缺陷的一步建设。也就是说，缺陷形成机制在合成过程中引入，由此产生的材料本身包含缺陷。金华叶等人。 WCl6作为W源，使用乙醇作为溶剂，合成低价W18O49超长纳米线[5]。同样，您可以通过以这种方式控制合成参数来控制缺陷的状态和内容。

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缺陷的一步构筑是通过适当的手段实现的。也就是说，在合成过程中导入了缺陷的形成机制，结果得到的材料本身就包含了缺陷。金花Ye et al。WCl 6作为W源，使用乙醇作为溶剂，合成了低原子价W的W18O49超长纳米线[5]。同样，通过用这种方法控制合成参数，也可以控制缺陷的状态和内容。<br>

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