砷化镓是Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，它的晶体结构是闪锌矿结构，是一种复式

砷化镓是Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，它的晶体结构是闪锌矿结构，是一种复式晶格，其晶胞是由两个面心立方晶格套构而成，如图1所示。

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Gallium arsenide is a group III-Ⅴ compound semiconductor material. Its crystal structure is sphalerite structure. It is a double lattice, and its unit cell is composed of two face-centered cubic lattice sets, as shown in Figure 1. Show.

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Gallium arsenide is a semiconductor material of the III-V family compound, its crystal structure is a flash zinc ore structure, is a duplex lattice, its crystal cells are made of two surface-based cubic lattice sets, as shown in Figure 1.

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Gallium arsenide is a kind of III-V compound semiconductor material. Its crystal structure is sphalerite structure, which is a kind of compound lattice. Its crystal cell is formed by two face centered cubic lattices, as shown in Figure 1.

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