For the oxide region, a 60-nm-thick

For the oxide region, a 60-nm-thick layer was deposited on a p-type (100)-oriented silicon substrate by means of a 4-inch radiofrequency magnetron sputtering system from a pure ZnO target, using a power density value of 0.97 W cm,a 15 lbar Ar pressure, and a substrate temperature of 400 C.

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对于氧化物区，一个60纳米厚的层沉积在p型（100）取向的硅衬底通过一个4英寸的射频磁控管从纯ZnO靶溅射系统，利用0.97的功率密度值W¯¯厘米，15在工具栏里的Ar压力，和C 400的衬底温度？。

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对于氧化区，采用4英寸射频磁控溅射系统，在p型（100）取向硅衬底上，采用0.97 W cm的功率密度值、15 lbar的气压和400℃的衬底温度，在纯氧化锌靶上沉积了60 nm厚的薄膜。

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