The aluminum nitride (AlN) powder/thin films were prepared from an alu的简体中文翻译

The aluminum nitride (AlN) powder/t

The aluminum nitride (AlN) powder/thin films were prepared from an aluminum–urea complex. The complex, hexa urea aluminate(III) chloride, has proven to be a potential single source precursor to aluminum nitrides because urea molecules construct a coordination sphere around the metal atom and form a stable structure, compared with air sensitive halide and hydride precursors. The precursor and the spin coated thin films of the precursor on quartz and Si(100) substrates were pyrolysed at various temperatures (800 °C to 1000 °C) and pressure (100 Torr to 1 Torr) under nitrogen atmosphere. The pyrolysed powders/films were characterized by FTIR (Fourier Transform Infrared) spectroscopy, TGA (Thermogravimetric analysis), PXRD (Powder X-ray Diffraction), FESEM (Field emission scanning electron microscopy), UV-Vis (Ultra violet-Visible spectroscopy), etc. The XRD results show that the polycrystalline aluminum nitride was obtained at a temperature of 1000 °C and at 1 Torr pressure. The average crystallites size calculated from XRD were in the range of 20–10 nm, which decreased with increase of pyrolysis temperature. We also conducted the pyrolysis process under argon instead of nitrogen and found that most of the nitrogen came from urea for the formation of AlN but the nitrogen atmosphere favoured clean formation of AlN. The band gaps of the deposited films were found in the range of 5.1–6.2 eV.
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氮化铝(AlN)粉末/薄膜,由铝 - 脲复合物制备。的配合物,六尿素铝(III),氯化已被证明是一个潜在的单源前体铝氮化物,因为尿素分子构造围绕所述金属原子的配位层,并形成稳定的结构,具有对空气敏感的卤化物和氢化物前体进行比较。的前体和在石英和Si前体的旋涂薄膜(100)的衬底在不同温度下(800℃〜1000℃)和氮气氛下的压力(100托至1托)热解。该热解的粉末/膜,其特征在于通过FTIR(傅里叶变换红外)光谱,TGA(热重分析),PXRD(粉末X射线衍射),FESEM(场发射扫描电子显微镜),UV-VIS(紫外线 - 可见光光谱)等等。XRD结果表明,在1000℃的温度下,并在1个托压力下所获得的多晶氮化铝。从XRD计算的平均晶粒尺寸分别为在20-10纳米的范围内,这与热解温度的升高而降低。我们在氩气代替氮气进行热解过程中,发现大多数氮来自尿素的AlN的形成,但氮气氛有利于清洁形成AlN的。沉积膜的带隙在5.1-6.2电子伏特的范围内被发现。我们在氩气代替氮气进行热解过程中,发现大多数氮来自尿素的AlN的形成,但氮气氛有利于清洁形成AlN的。沉积膜的带隙在5.1-6.2电子伏特的范围内被发现。我们在氩气代替氮气进行热解过程中,发现大多数氮来自尿素的AlN的形成,但氮气氛有利于清洁形成AlN的。沉积膜的带隙在5.1-6.2电子伏特的范围内被发现。
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氮化铝 (AlN) 粉末/薄膜由铝尿素复合体制备。该复合物六氯苯甲酸二甲苯(III)已证明是氮化铝的潜在单一来源前体,因为尿素分子在金属原子周围构造一个协调球,与空气敏感的卤化物和氢化物前体相比,形成稳定的结构。石英基材和Si(100)基板上前体和前体涂层薄膜在氮气条件下不同温度(800°C至1000°C)和压力(100托尔至1托尔)进行热解。热解粉末/薄膜的特点是FTIR(傅立叶变换红外)光谱,TGA(热重力分析),PXRD(粉末X射线衍射),FESEM(场发射扫描电子显微镜),UV-Vis(超紫可见光谱)等。XRD结果表明,在1000°C的温度和1个Torr压力下,获得了多晶氮化铝。从XRD计算的平均晶体尺寸在20-10nm的范围内,随着热解温度的增加而减小。我们还在用氮代替氮进行了热解过程,发现大部分氮来自尿素,用于形成AlN,但氮气有利于阿尔N的清洁形成。沉积膜的带隙在5.1~6.2 eV范围内。
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以铝-尿素为原料制备了氮化铝(AlN)粉末/薄膜。与气敏卤化物和氢化物的前驱体相比,尿素分子在金属原子周围形成一个配位球,形成一个稳定的结构,因此六脲铝酸酯(III)氯化物被证明是一种潜在的氮化铝单源前驱体。在氮气气氛下,在不同温度(800℃~1000℃)和压力(100 Torr~1 Torr)下,将前驱体和前驱体在石英和Si(100)衬底上的旋涂薄膜进行热解。用FTIR、TGA、PXRD、FESEM、UV-Vis、UV-Vis和UV-Vis对热分解后的粉末/薄膜进行了表征,XRD结果表明,在1000℃和1torr压力下获得了多晶氮化铝。XRD计算得到的平均晶粒尺寸在20-10nm之间,随热解温度的升高而减小。在氩气代替氮气的条件下进行了热解实验,发现大部分氮气来自尿素,有利于AlN的生成,而氮气气氛有利于AlN的清洁生成。在5.1-6.2ev范围内发现了薄膜的带隙。
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