砷化镓（GaAs）是典型的的第二代半导体材料，具有宽禁带、耐高温、抗辐

砷化镓（GaAs）是典型的的第二代半导体材料，具有宽禁带、耐高温、抗辐射、电子迁移率高、功率消耗低等优点

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Gallium arsenide (GaAs) is a typical second-generation semiconductor material, which has the advantages of wide band gap, high temperature resistance, radiation resistance, high electron mobility, and low power consumption.

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Gallium arsenide (GaAs) is a typical second generation semiconductor material, which has the advantages of wide band gap, high temperature resistance, radiation resistance, high electron mobility and low power consumption<br>

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