显然，相当于BTS中Eg的约1/10这样较小的势垒高度Eb对于减少界面

显然，相当于BTS中Eg的约1/10这样较小的势垒高度Eb对于减少界面处的载流子散射以保持高迁移率和使EDCS仅仅增加复合材料样品的热功率至关重要。

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Obviously, a small barrier height Eb equivalent to about 1/10 of the Eg in the BTS is critical to reduce carrier scattering at the interface to maintain high mobility and allow EDCS to only increase the thermal power of the composite sample.

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Obviously, a smaller base height Of Eb, equivalent to approximately 1/10 of Eg in BTS, is critical to reduce carrier scattering at the interface to maintain a high migration rate and enable EDCS to increase the thermal power of composite samples only.

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Obviously, a smaller barrier height EB, equivalent to about 1 / 10 of eg in BTS, is essential to reduce the carrier scattering at the interface to maintain high mobility and to make EDCs only increase the thermal power of composite samples.

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