The formal structure above, combined with the back surface field passi的简体中文翻译

The formal structure above, combine

The formal structure above, combined with the back surface field passivation, increased the efficiency of PEDOT:PSS/ c-si solar cells to 12.1%. By testing the external quantum efficiency of the battery, we can not only calculate the short-circuit current density, but also see the quantum efficiency of the battery in the absorption of photons of different wavelengths. As can be seen from figure 4.5 (b), the external quantum efficiency of the formal structure PEDOT:PSS/ c-si battery is gradually reduced from 600 nm to 1200 nm. Even if surface and field passivation is used to reduce the carrier composite loss, the short-circuit current density is still lower than 30 mA/cm2. In the formal structure of the PEDOT:PSS/ c-si battery, PEDOT:PSS serves as the window layer and the transmitter layer for the transmission hole. PEDOT: the transmittance and parasitic absorption of PSS have great influence on the photovoltaic performance of the whole cell. In order to characterize the parasitic absorption of PEDOT:PSS in PEDOT:PSS/ c-si battery, the absorption spectrogram of PEDOT:PSS film with a thickness of 100 nm was measured. The results are shown in FIG. 4.7 (a). Figure 4.7 (b) compares the extinction coefficients of PEDOT:PSS film and ITO film, and the results show that PEDOT:PSS film has stronger parasitic absorption than ITO film in visible and near infrared spectral regions. The formal structure of PEDOT:PSS/ c-si solar cells in the range of 600-1200 nm is mainly due to the parasitic absorption of PEDOT:PSS films.
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正式结构的上方,与所述背面场钝化组合,增加了PEDOT的效率:PSS / C-Si太阳能电池至12.1%。通过测试所述电池的外量子效率,我们不仅可以计算出短路电流密度,而且还看到电池的量子效率在不同的波长的光子的吸收。如可从图4.5(b)中可以看出,正式结构PEDOT的外部量子效率:PSS /单晶硅电池逐渐从600纳米降低到1200纳米。即使表面和场钝化用于减少载体复合损失,短路电流密度仍低于30毫安/厘米2。在PEDOT的正式结构:PSS /单晶硅电池,PEDOT:PSS用作窗口层和用于传输空穴的发射机层。PEDOT:透光率和PSS的寄生吸收对整个电池的光电性能有很大影响。为了表征PEDOT的寄生吸收:PSS在PEDOT:PSS /单晶硅电池,PEDOT的吸收谱图:PSS膜的厚度为100nm的测定。将其结果示于图 4.7(a)中。图4.7(b)中进行比较PEDOT的消光系数:PSS膜和ITO膜,并且所述结果表明,PEDOT:PSS薄膜具有寄生吸收比在可见光和近红外光谱区的ITO膜更强。PEDOT的正式结构:PSS / C-Si太阳能电池中的600-1200纳米范围内的主要原因是PEDOT的寄生吸收:PSS薄膜。PSS在PEDOT:PSS /单晶硅电池,PEDOT的吸收谱图:PSS膜的厚度为100nm的测定。将其结果示于图 4.7(a)中。图4.7(b)中进行比较PEDOT的消光系数:PSS膜和ITO膜,并且所述结果表明,PEDOT:PSS薄膜具有寄生吸收比在可见光和近红外光谱区的ITO膜更强。PEDOT的正式结构:PSS / C-Si太阳能电池中的600-1200纳米范围内的主要原因是PEDOT的寄生吸收:PSS薄膜。PSS在PEDOT:PSS /单晶硅电池,PEDOT的吸收谱图:PSS膜的厚度为100nm的测定。将其结果示于图 4.7(a)中。图4.7(b)中进行比较PEDOT的消光系数:PSS膜和ITO膜,并且所述结果表明,PEDOT:PSS薄膜具有寄生吸收比在可见光和近红外光谱区的ITO膜更强。PEDOT的正式结构:PSS / C-Si太阳能电池中的600-1200纳米范围内的主要原因是PEDOT的寄生吸收:PSS薄膜。PSS膜具有寄生吸收比在可见光和近红外光谱区的ITO膜更强。PEDOT的正式结构:PSS / C-Si太阳能电池中的600-1200纳米范围内的主要原因是PEDOT的寄生吸收:PSS薄膜。PSS膜具有寄生吸收比在可见光和近红外光谱区的ITO膜更强。PEDOT的正式结构:PSS / C-Si太阳能电池中的600-1200纳米范围内的主要原因是PEDOT的寄生吸收:PSS薄膜。
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上述形式结构,结合后表面场钝化,使PEDOT:PSS/c-si太阳能电池的效率提高到12.1%。通过测试电池的外部量子效率,不仅可以计算短路电流密度,还可以看到电池在吸收不同波长的光子时的量子效率。如图4.5(b)所示,正式结构PEDOT:PSS/c-si电池的外部量子效率逐渐从600nm降至1200nm。即使使用表面和场钝化来减少载波复合损耗,短路电流密度仍然低于30 mA/cm2。在 PEDOT:PSS/c-si 电池的正式结构中,PEDOT:PSS 充当传输孔的窗口层和发射机层。PEDOT:PSS的透射和寄生吸收对整个电池的光伏性能有较大影响。为了描述PEDOT:PSS在PEDOT:PSS/c-si电池中的寄生吸收,测量了厚度为100nm的PEDOT:PSS薄膜的吸收光谱图。结果如图4.7(a)所示。图4.7(b)比较了PEDOT:PSS薄膜和ITO薄膜的消光系数,结果表明PEDOT:PSS薄膜在可见光和近红外光谱区域比ITO薄膜具有更强的寄生吸收。PEDOT:PSS/c-si太阳能电池的形式结构在600-1200nm范围内,主要是由于PEDOT:PSS薄膜的寄生吸收。
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上述形式化结构与背场钝化相结合,使PEDOT:PSS/c-si太阳电池的效率提高到12.1%。通过测试电池的外部量子效率,不仅可以计算出短路电流密度,还可以看出电池在吸收不同波长光子时的量子效率。从图4.5(b)可以看出,形式结构PEDOT:PSS/c-si电池的外量子效率从600纳米逐渐降低到1200纳米。即使采用表面钝化和场钝化来降低载流子复合损耗,短路电流密度仍低于30ma/cm~2。在PEDOT:PSS/c-si电池的形式结构中,PEDOT:PSS作为传输孔的窗口层和发射层。PEDOT:PSS的透过率和寄生吸收对整个电池的光伏性能有很大的影响。为了表征PEDOT:PSS在PEDOT:PSS/c-si电池中的寄生吸收,测量了厚度为100nm的PEDOT:PSS薄膜的吸收光谱。结果如图4.7(a)所示。图4.7(b)比较了PEDOT:PSS薄膜和ITO薄膜的消光系数,结果表明PEDOT:PSS薄膜在可见光和近红外光谱区的寄生吸收比ITO薄膜强。PEDOT:PSS/c-si太阳电池在600-1200nm范围内的形式结构主要是由于PEDOT:PSS薄膜的寄生吸收。
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