The experimental data in Fig. 61 are compared with the result327 from 的简体中文翻译

The experimental data in Fig. 61 ar

The experimental data in Fig. 61 are compared with the result327 from a numerical simulation of classical trajectories of the electrons at the Fermi level (following the method of Ref.329). This semiclassical calculation was performed in order to relax the assumption of adiabatic transport in the point contact region, and of small Td/N, on which Eqs. (3.32) and (3.34) are based. The dashed curve is for point contacts defined by hardwall contours with straight corners (no collimation); the dots are for the smooth hardwall contours shown in the inset, which lead to collimation via the horn effect (cf. Fig. 60b; the barrier collimation of Fig. 60a is presumably unimportant at the small gate voltage used in the experiment and is not taken into account in the numerical simulation). The angular injection distributions P(α) that follow from these numerical simulations are compared in Fig. 62 (solid histogram) with the result (3.31) from the adiabatic approximation for f = 1.85 (dotted curve). The uncollimated distribution P(α) = (cos α)/2 is also shown for comparison (dashed curve). Taken together, Figs. 61 and 62 unequivocally demonstrate the importance of collimation for the transport properties, as well as the adequateness of the adiabatic approximation as an estimator of the collimation cone.
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图61中的实验数据与来自于费米能级的电子的轨迹经典的数值模拟result327(以下Ref.329的方法)进行比较。这个半经典计算是为了缓和在点接触区域绝热输送的假设上进行的方程,以及小TD / N,。(3.32)和(3.34)的基础的。虚线曲线是用于通过与直角(没有准直)的硬轮廓定义的点接触; 点是在插图中示出的平滑的硬轮廓,其通过所述喇叭效果(参见图60B导致准直;图60a的阻挡准直是在实验中使用的小栅极电压可能不重要并且不在数值模拟考虑)。角度注入分布P(α),从这些数值模拟遵循图进行比较。62(固体直方图)与来自对于f = 1.85(虚曲线)的绝热近似的结果(3.31)。所述未经准直的分布P(α)=(COSα)/还示出用于比较的(虚线)2。总之,图 61和62明确地显示准直的用于传输性质的重要性,以及该绝热近似作为准直锥体的估计的adequateness。
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图61中的实验数据与Fermi水平电子经典轨迹的数值模拟结果327进行了比较(采用Ref.329的方法)。进行这种半经典计算是为了放松点接触区域和Eqs上的小Td/N的绝热迁移假设。(3.32) 和 (3.34) 是基于的。虚线曲线用于由硬壁轮廓定义的点接触,具有直角(无准直);这些点用于内插中显示的平滑硬壁轮廓,通过喇叭效应导致准直(参见图60b;图60a的阻隔准比在实验中使用的小栅极电压下可能并不重要,在数值模拟中不考虑)。这些数值模拟后的角度注注分布 P(α)在图 62(实心直方图)中与 f = 1.85(虚线曲线)的绝热近似值的结果 (3.31) 进行比较。未共和分布 P(+) = (cos =)/2 也显示用于比较(虚线曲线)。总之,图61和62明确说明了准直对运输特性的重要性,以及作为准直子锥的估计值的绝热近似值的充分性。
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图61中的实验数据与费米能级上电子经典轨迹的数值模拟结果327进行了比较(遵循参考文献329的方法)。为了放松点接触区绝热输运和小Td/N的假设,进行了这一半经典计算。(3.32)和(3.34)是基于。虚线曲线用于由具有直角的硬壁轮廓定义的点接触(无准直);点用于插图中所示的光滑硬壁轮廓,其通过喇叭效应导致准直(参见图60b;图60a的势垒准直在实验中使用的小栅极电压下可能不重要,并且在数值模拟中没有考虑到)。从这些数值模拟中跟随的角喷射分布P(α)在图62(实线直方图)中与从F=1.85(虚线)的绝热近似的结果(3.31)进行比较。未准直分布P(α)=(cosα)/2也显示出来以供比较(虚线曲线)。总而言之,无花果。61和62明确地证明了准直对输运性质的重要性,以及绝热近似作为准直锥的估计器的充分性。
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