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同时模拟了（100）偏（111）2°、（100）偏（111）6°、（100）偏（111）15°这三种不同晶面的GaAs在不同晶向0°、45°、90°、135°、180°五个方向上的划擦过程，来研究各向异性条件下GaAs形成的划痕特性。

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Simultaneously, the three different planes of GaAs (100) deviation (111) 2 °, (100) deviation (111) 6 °, (100) deviation (111) 15 ° were simulated in different crystal directions 0 °, 45 ° The scratch process in the five directions of 90 °, 135 ° and 180 ° was used to study the scratch characteristics of GaAs formed under anisotropic conditions.

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At the same time, the scratch process of the three different crystal surfaces (100) bias (100) (111) 2 degrees, (100) bias (111) 6 degrees, (100) 15 degrees) was simulated, and the scratch characteristics of GaAs formed under the opposite direction were studied.

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At the same time, the scratch process of (100) bias (111) 2 °, (100) bias (111) 6 °, (100) bias (111) 15 ° in different directions of 0 °, 45 °, 90 °, 135 ° and 180 ° was simulated to study the scratch characteristics of GaAs under anisotropic conditions.<br>

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