Baojian Shen et al .[6] have prepared two dealuminated Y zeolites by s的简体中文翻译

Baojian Shen et al .[6] have prepar

Baojian Shen et al .[6] have prepared two dealuminated Y zeolites by steaming with and without the interference of pre-desilication and have investigated how desilication creates defects in NaY crystals, and how these defects determine the mesoporosity properties.They developed mesoporosity and the unrepairable hydroxyl nests promote the coalescence of defects in their neighborhood and the homogeneous formation of mesopores throughout the zeolite crystals. They anticipate that the concept of “defect-guided mesoporosity formation” developed in the present work will be applied to the synthetic or post - synthetic preparation of other hierarchically structured materials and to the preparation of functional materials with hybrid frameworks.[6]The removal of framework Si(0Al) and Si(1Al) units occurs,which is accompanied by there-insertion of a small amount of NFAL into the ATY zeolite framework. Crystallographically, the defect left by the removal of a Si(0Al) unit is a Si-OH group (silanol nests), the well-known hydroxyl nest, as shown in (a) of Scheme 1. These vacancies can be refilled with silicon, with a consequent ultra-stabilization of the zeolite framework, and the isolation of residual defect sites left by dealumination.They propose the existence of a ‘‘unique hydroxyl nest’’ with framework-connected Al-OH as shown in (b) of Scheme 1 in the framework of the ATY zeolites. The formation of this ‘‘unique hydroxyl nest’’ may not be restricted to the one as schematically described in Scheme 1. Vacancies containing two or more framework-connected Al-OH may also be created depending on the desilication degree in the local framework.
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保建Shen等人[6]准备了两个脱铝Y型沸石由具有和不具有预脱硅的干扰蒸和已经研究如何在脱硅晶体的NaY创建缺陷,而这些缺陷是如何确定中孔隙properties.They开发中孔和不可修复羟基巢促进缺陷在其邻域中的聚结和在整个沸石晶体的均质地层中孔的。他们预计的在目前的工作开发的“缺陷制导中孔的形成”的概念,将被应用到所述合成或交-的其他分层结构的材料和具有混合的框架功能材料的制备,合成制备[6] <br>的骨架Si(0AL)和Si(1AL)单元的移除发生时,这是伴随着<br>少量NFAL进入ATY沸石骨架的重新插入了。晶体,缺陷左通过去除的Si(0AL)单元的由Si-OH基(硅烷醇巢),公知的羟基窝,如图(a)中方案1的这些空位可以与硅再填充与沸石骨架的结果超稳定化,和通过脱铝留下残余的缺陷位点的隔离。<br>他们提出了一种“”独特羟基巢“”与框架连接的Al-OH的存在作为ATY沸石的框架中的(b)中所示方案1。如方案1中示意性描述的含有两个或多个空缺这个“”独特羟基巢“”的形成可以不限于所述一个框架连接的Al-OH也可根据在本地框架脱硅度创建。
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沈宝安等人.[6] 通过蒸制和未受预脱硅的干扰制备了两种处理过的Y沸石,并研究了脱硅如何在NaY晶体中产生缺陷,以及这些缺陷如何确定中孔性能。他们发展了中孔性,不可修复的羟基巢穴促进了附近缺陷的凝聚,以及整个沸石晶体中孔的均匀形成。他们预计,本工作中开发的"缺陷引导中孔形成"概念将应用于其他分层结构材料的合成或合成制备,以及使用混合框架制备功能材料。[6]<br>框架 Si(0Al) 和 Si(1Al) 单元的移除发生,并伴随着<br>将少量 NFAL 重新插入 ATY 沸石框架。从晶体学上看,移除 Si(0Al) 单元留下的缺陷是 Si-OH 组(硅藻巢),即众所周知的羟基巢,如方案 1 (a) 所示。这些空缺可以用硅重新填补,从而使沸石框架具有超强的稳定性,并隔离处理留下的残余缺陷部位。<br>他们提议存在一个"独特的羟基巢",与框架相连的Al-OH,如《反交易计划》框架中的(b)所示。正如方案1中用原理描述的那样,这种"独特的羟基巢"的形成可能并不限于该巢。根据当地框架中的去硅化程度,也可以设立包含两个或多个框架连接Al-OH的空缺。
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沈宝健等[6]用预脱硅和不加预脱硅的蒸汽法制备了两种脱铝Y沸石,研究了脱硅对NaY晶体缺陷的影响,这些缺陷是如何决定介孔性质的,它们形成了介孔,不可修复的羟基巢促进了缺陷在其邻域的聚并,促进了整个沸石晶体中介孔的均匀形成。他们预计,本研究中提出的“缺陷引导介孔形成”的概念将被应用于其他层次结构材料的合成或合成后制备,以及具有杂化结构的功能材料的制备<br>去除骨架Si(0Al)和Si(1Al)单元时,伴随着<br>在ATY分子筛骨架中再插入少量NFAL。在晶体学上,移除Si(0Al)单元所留下的缺陷是Si-OH基团(硅醇巢),即众所周知的羟基巢,如方案1的(a)所示。这些空位可以用硅填充,从而使分子筛骨架达到超稳定状态,并隔离脱铝留下的残余缺陷位置。<br>他们提出在ATY沸石的骨架中存在一个“独特的羟基巢”,其骨架与Al-OH相连,如方案1(b)所示。这种“独特羟基巢”的形成可不限于如图1所示的巢。含有两个或两个以上骨架连接的氢氧化铝的空位也可根据局部骨架中脱硅程度而产生。
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