酸化タングステンに欠陥が導入されると、空孔や転位などの局所構造の変化が

当将缺陷引入氧化钨中时，在晶格中发生局部结构变化，例如空位和位错，并且局部电子结构被重建，从而影响整个电子结构。对于生物半导体，价带主要是由于O的2P轨道，而导带主要是由于金属原子的d轨道。不可避免地会产生影响。

酸化タングステンに欠陥が導入されると、空孔や転位などの局所構造の変化が結晶格子で発生し、局所電子構造が再構築され、電子構造全体に影響を与えます。 バイオ半導体に関しては、価電子帯は主にOの2P軌道に起因し、伝導帯は主に金属原子のd軌道に起因するため、欠陥の構築は伝導帯、価電子帯、Femiレベルの位置に必然的に影響します。

When defects are introduced into tungsten oxide, local structures such as vacancies and dislocations are generated in the crystal lattice, and the local electronic structure is reconstructed and affects the entire electronic structure. As for the valence semiconductor, the valence band is mainly caused by the 2p orbit of O, and the conduction band is mainly caused by the d orbitals of the metal atom, so the defect construction inevitably affects the location of the conduction band, valence band, and Fermi level.<br>