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Since during CSP Stage I the partic

Since during CSP Stage I the particles are not in direct contact the only active process is Ostwald ripening, which was observed by Taveri and co-workers [26] during ICC of silica spheres. The Ostwald ripening rate (i.e. the derivative of the average particle size with respect to time) is directly proportional to the solubility of the particles in the matrix phase (in this case in the liquid). Since the application of external pressure increases the solubility by a factor exp (Pext(Vs − Vl)/RT), this leads to a consistent increase in the rate of coarsening.Note that such proportionality between da/dt and exp (Pext(Vs − Vl)/RT) is valid for both Ostwald ripening controlled by interface dissolution/precipitation reactions or by diffusion through the liquid phase, as qualitatively sketched in Figure 7. Starting from thewell-known coarsening equations [29] and combining them with Eq. (4) we can define the Ostwald ripening equations for CSP Stage I (spherical particles) in the case of diffusion-controlled coarsening:
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由于在CSP阶段I期间颗粒没有直接接触,唯一的活跃过程是奥斯特瓦尔德熟化,这是Taveri及其同事[26]在硅球ICC期间观察到的。奥斯特瓦尔德熟化速率(即平均粒度相对于时间的导数)与颗粒在基质相(在这种情况下在液体中)的溶解度成正比。由于施加外部压力会使溶解度增加exp(Pext(Vs-Vl)/ RT)倍数,因此导致粗化速率持续增加,请注意da / dt和exp(Pext(Vs − Vl)/ RT)对于通过界面溶解/沉淀反应或通过液相扩散进行控制的奥斯瓦尔德成熟均有效,如图7所示。<br>众所周知的粗化方程[29],并将其与等式组合。(4)在扩散控制的粗化情况下,我们可以为CSP第一阶段(球形粒子)定义Ostwald成熟方程:
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由于在CSP阶段I中,粒子没有直接接触,唯一的活性过程是奥斯特瓦尔德成熟,这是塔韦里和同事[26]在二氧化硅球的ICC期间观察到的。Ostwald 成熟率(即相对于时间的平均颗粒大小的导数)与矩阵相(在本例中为液体)的粒子的溶解度成正比。由于外部压力的应用会提高溶解度(Pext(Vs = Vl)/RT),因此会导致粗加工率持续增加。请注意,da/dt 和 exp(Pext(Vs = Vl)/RT) 之间的这种相称性对于由接口溶解/沉淀反应控制或通过液相扩散控制的奥斯特瓦尔德成熟度都有效,如图 7 中所示。从<br>众所周知的粗化方程 [29] 并将其与 Eq. (4) 相结合,我们可以在扩散控制的粗加工的情况下定义 CSP 阶段 I(球形粒子) 的奥斯特瓦尔德成熟方程:
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由于CSP阶段I中的颗粒没有直接接触,唯一的活性过程是Ostwald成熟,Taveri和同事在硅球ICC期间观察到了这一过程。奥斯特瓦尔德熟化率(即平均粒径与时间的导数)与颗粒在基质相中的溶解度(在这种情况下是在液体中)成正比。由于施加外部压力会使溶解度增加一个因子exp(Pext(Vs-Vl)/RT),这导致粗化速率的持续增加。注意,da/dt和exp(Pext(Vs-Vl)/RT)之间的这种比例对于由界面溶解/沉淀反应或通过液相扩散控制的Ostwald熟化都是有效的,如图7所示。从<br>众所周知的粗化方程[29]并将其与公式(4)结合,我们可以定义CSP阶段I(球形颗粒)在扩散控制粗化情况下的Ostwald成熟方程:
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