At the sintering temperature, the B

At the sintering temperature, the BaTiO3 should only be cubic phase. The typical crystal growth activities of specific crystal planes (001) and (110) planes of cubic BaTiO3 were established via first principles. Slab models consisting of nine layers terminated by TiO2, BaO, or by Ba–Ti–O, O–O on both sides of a slab were constructed, and they were optimized using the DFT calculation approach (Fig. 1). The height of vacuum layer is 20 Å, the calculated surface areas of each slab are 15.91145 Å2, 16.23637 Å2,

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在烧结温度下，BaTiO3应该仅是立方相。通过第一原理建立了立方BaTiO 3的特定晶面（001）和（110）面的典型晶体生长活性。构建了由两层分别由TiO2，BaO或Ba-Ti-O，O-O终止的9层组成的平板模型，并使用DFT计算方法对其进行了优化（图1）。真空层的高度为20Å，计算出的每个平板的表面积分别为15.91145 Å2、16.23637Å2，

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在烧结温度下，BaTiO3 应仅为立方相。立方BaTiO3的特定晶体平面（001）和（110）平面的典型晶体生长活动是通过第一原则建立的。板模型由 TiO2、BaO 或 Ba_Ti_O 终止的九层组成，在板的两侧构造了 O+O，并使用 DFT 计算方法进行了优化（图 1）。真空层的高度为 20°，每个板的计算表面积为 15.91145 ×2、16.23637 ×2，

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在烧结温度下，钛酸钡只能是立方相。利用第一性原理建立了立方钛酸钡（BaTiO3）特定晶面（001）和（110）的典型晶体生长活性。构建了由TiO2、BaO或Ba–Ti–O、O–O在平板两侧端接的九层平板模型，并使用DFT计算方法对其进行了优化（图1）。真空层高度为20Å，每层板坯的计算表面积为15.91145Å2，16.23637Å2，<br>

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