The effect of a magnetic field (perpendicular to the 2DEG) on the quan的简体中文翻译

The effect of a magnetic field (per

The effect of a magnetic field (perpendicular to the 2DEG) on the quantized conductance of a point contact is shown in Fig. 48, as measured by van Wees et al.334 First of all, Fig. 48 demonstrates that the conductance quantization is conserved in the presence of a magnetic field and shows a smooth transition from zero-field quantization to quantum Hall effect. The most noticeable effect of the magnetic field is to reduce the number of plateaux in a given gate voltage interval. This provides a demonstration of depopulation of magnetoelectric subbands, which is more direct than that provided by the experiments discussed in Section II.F. In addition, one observes that the flatness of the plateaux improves in the presence of the field. This is due to the reduction of the reflection probability at the point contact, which is revealed most clearly in a somewhat different (four-terminal) measurement configuration. These two effects of a magnetic field will be discussed separately. We will return to the magnetic suppression of back-scattering in Section IV.A in connection with the edge channel theory112 of the quantum Hall effect.
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的磁场(垂直于2DEG)上的点接触的量化电导的影响示于图48,如通过所有的货车Wees等al.334首先,图测定的。48表明,电导量化是保守在磁场中,并示出了来自零场量化到量子霍尔效应的平滑过渡的存在。所述磁场的最显着的效果是减少在给定的栅极电压的时间间隔的高原的数量。这提供了磁电子带的人口减少的演示,其比由在第II.F.讨论的实验提供更直接的 此外,一个注意到,高原的平坦度在该领域存在改善。这是由于反射概率的在点接触的减少,其揭示了最清楚地在一个稍微不同的(四端子)测量配置。这两个磁场的作用效果进行单独讨论。我们将返回后向散射的第IV.A磁抑制与量子霍尔效应边缘通道theory112连接。
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磁场(垂直于2DEG)对点接触的定量电导的影响如图48所示,如范·韦斯等人所测量的,首先,图48表明,在存在磁场,显示了从零场量子化到量子霍尔效应的平稳过渡。磁场最显著的影响是在给定的栅极电压间隔内减少高原数。这提供了磁电子带的消群的演示,这比第二节讨论的实验更直接。此外,人们观察到,在场下,高原的平坦度会有所改善。这是因为点接触处的反射概率降低,这在稍微不同的(四端)测量配置中最为明显。磁场的这两个影响将分别讨论。我们将在第四节中返回到反散射的磁抑制。A 与量子霍尔效应的边缘通道理论112有关。
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磁场(垂直于2DEG)对点接触的量子化电导的影响如图48所示,如van Wees等人334所测量的,首先,图48证明了电导量子化在磁场存在下是守恒的,并且显示了从零场量子化到量子量子化的平滑过渡霍尔效应。磁场最显著的作用是在给定的栅极电压间隔内减少栅极数目。这提供了磁电子带的去填充的演示,比第II.F节中讨论的实验提供的演示更直接。此外,有人观察到,在磁场的存在下,平台的平坦度提高。这是由于点接触处的反射概率降低,这在稍微不同的(四端)测量配置中显示得最清楚。磁场的这两个效应将分别讨论。我们将回到第四节A中与量子霍尔效应边沟道理论112有关的后向散射的磁抑制。
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