4. Suppression of the Shubnikov-De Haas oscillationsShubnikov-De Haas 的简体中文翻译

4. Suppression of the Shubnikov-De

4. Suppression of the Shubnikov-De Haas oscillationsShubnikov-De Haas magnetoresistance oscillations were discussed in Sections I.D.3 and II.F. In weak magnetic fields, where a theoretical description in terms of a local resistivity tensor applies, a satisfactory agreement between theory and experiment is obtained.20 As we now know, in strong magnetic fields the concept of a local resistivity tensor may break down entirely because of the absence of local equilibrium. A theory of the Shubnikov-De Haas effect then has to take into account explicitly the properties of the contacts used for the measurement. The resulting anomalies are considered in this subsection. Van Wees et al.428 found that the amplitude of the high-field Shubnikov-De Haas oscillations was suppressed if a quantum point contact was used as a voltage probe. To discuss this anomalous Shubnikov-De Haas effect, we consider the three-terminal geometry of Fig. 92, where a single voltage contact is present on the boundary between source and drain contacts. (An alternative twoterminal measurement configuration is also possible; see Ref.428.) The voltage probe p is formed by a quantum point contact, while source s and drain d are normal ohmic contacts. (Note that two special contacts were required for the anomalous quantum Hall effect of Section IV.B.3.) One straightforwardly finds from Eq. (3.12) that the three-terminal resistance R3t ≡ (μp − μd)/eI measured between point contact probe and drain is given by
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4.制止舒勃尼科夫 - 德哈斯振荡<br>舒勃尼科夫 - 德哈斯磁阻振荡是在第ID3和II.F.讨论 在弱磁场,其中,在局部电阻率张量应用方面的理论描述,理论和实验之间令人满意的协议是obtained.20正如我们现在所知道的,在强磁场的局部电阻率张量的概念可能打破完全是因为的不存在局部平衡的。的舒勃尼科夫德哈斯效应的理论再有考虑到用于测量触点的明确性质。产生的异常在本款考虑。范Wees等al.428发现,高场如果量子点接触被用作电压探针舒勃尼科夫德哈斯振荡被抑制的振幅。要讨论这个反常舒勃尼科夫德哈斯效应,我们考虑图92,其中单个电压接触存在源极和漏极触点之间的边界上的三端的几何形状。(另一种twoterminal测量配置也是可能的;参见Ref.428。)电压探测器p由一量子点接触形成,而源极s和漏极d是正常的欧姆接触。(请注意,两个特殊的接触者需要科IV.B.3的反常量子霍尔效应),从公式的一个直截了当的发现。(3.12),这三个端电阻R3T≡(μP - μD)/ EI点接触探针和漏极之间测量由下式给出 )电压探测器p由一量子点接触形成,而源极s和漏极d是正常的欧姆接触。(请注意,两个特殊的接触者需要科IV.B.3的反常量子霍尔效应),从公式的一个直截了当的发现。(3.12),这三个端电阻R3T≡(μP - μD)/ EI点接触探针和漏极之间测量由下式给出 )电压探测器p由一量子点接触形成,而源极s和漏极d是正常的欧姆接触。(请注意,两个特殊的接触者需要科IV.B.3的反常量子霍尔效应),从公式的一个直截了当的发现。(3.12),这三个端电阻R3T≡(μP - μD)/ EI点接触探针和漏极之间测量由下式给出
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4. 抑制舒布尼科夫-德哈斯振荡<br>舒布尼科夫-德哈斯磁阻振荡在第一部分D.3和II节中进行了讨论。F. 在弱磁场中,在应用局部电阻率张量的理论描述时,理论和实验之间得到了令人满意的一致。舒布尼科夫-德哈斯效应的理论必须明确考虑用于测量的触点的特性。本小节中将考虑生成的异常。Van Wees等人428发现,如果量子点接触用作电压探头,则高场舒布尼科夫-德哈斯振荡的振幅被抑制。为了讨论这种异常的舒布尼科夫-德哈斯效应,我们考虑了图92的三端几何,其中源和漏流触点之间的边界上存在单电压接触。(也可以进行替代双端子测量配置;参见参考 428。电压探针p由量子点接触形成,而源和漏数d是正常的欧米接触。(请注意,第四节的异常量子霍尔效应需要两个特殊触点。B.3.) 一个从 Eq. (3.12) 中直接发现,在点接触探头和漏流之间测量的三端电阻 R3t +(μp = μd)/eI 由
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四。Shubnikov-De-Haas振荡的抑制<br>Shubnikov De Haas磁阻振荡在第I.D.3节和第II.F节中进行了讨论。在弱磁场中,应用局部电阻率张量的理论描述,得到了理论和实验之间令人满意的一致性,在强磁场中,局部电阻率张量的概念可能完全由于缺乏局部平衡而崩溃。因此,Shubnikov-De-Haas效应的理论必须明确地考虑到用于测量的触点的特性。由此产生的异常情况在本小节中予以考虑。Van Wees等人428发现,如果使用量子点接触作为电压探针,则高场Shubnikov De Haas振荡的振幅被抑制。为了讨论这种反常的Shubnikov-De-Haas效应,我们考虑图92的三端几何结构,其中源极和漏极之间的边界上存在一个电压触点。(另一种双端测量配置也是可能的;参见参考文献428。)电压探针p由量子点接触形成,而源s和漏d是正常的欧姆接触。(注意,第IV.B.3节中的反常量子霍尔效应需要两个特殊接触。)从式(3.12)中直接发现,点接触探针和漏极之间测得的三端电阻R3t∏(μp−μd)/eI由下式给出
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