ith Se due to the higher lattice di

ith Se due to the higher lattice disorder (Figure 8d).After having subtracted the electronic contribution κe, κdecreased with temperature in the low-temperature range andstabilized or increased at higher temperatures, when the bipolarcontribution, κbi, became significant (Figure 9e). Above theDebye temperature, ca. 145 K for Bi2Te3,49 phonon scattering byUmklapp mechanism leads to a T−1 dependence of the latticethermal conductivity, κL. On the other hand, κbi displays anexponential dependence with temperature and the material bandgap,After having subtracted the electronic contribution κe, κdecreased with temperature in the low-temperature range andstabilized or increased at higher temperatures, when the bipolarcontribution, κbi, became significant (Figure 9e). Above theDebye temperature, ca. 145 K for Bi2Te3,49 phonon scattering byUmklapp mechanism leads to a T−1 dependence of the latticethermal conductivity, κL. On the other hand, κbi displays anexponential dependence with temperature and the material bandgap,

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由于较高的晶格无序（图8d）。 减去电子贡献κe后，当双极性贡献κbi变得显着时，κ 在低温范围内随温度降低而降低， 在较高温度下稳定或升高 （图9e）。高于 德拜温度，约 Umklapp机理对Bi2Te3,49声子的散射产生145 K 导致晶格 热导率κL 的T-1依赖性。另一方面，κbi 与温度和材料带 隙呈指数关系，在减去电子贡献κe之后，κ 在低温范围内随温度降低而减小。 当双极性 贡献κbi变得显着时，在较高温度下稳定或增加（图9e）。高于 德拜温度，约 Umklapp机理对Bi2Te3,49声子的散射产生145 K 导致晶格 热导率κL 的T-1依赖性。另一方面，κbi 与温度和材料带 隙呈指数关系，

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ith Se 由于较高的格子紊乱（图 8d）。 减去电子贡献后， 随着温度在低温范围内而降低， 稳定或增加在更高的温度，当两极 贡献，βbi，变得显著（图9e）。以上 Debye 温度，约 145 K，用于 Bi2Te3，49 磷非散射 Umklapp 机制导致晶格的 T+1 依赖 导热性，βL。另一方面，*bi 显示 指数依赖温度和材料带 间隙，减去电子贡献后， 随着温度在低温范围内而降低， 稳定或增加在更高的温度，当两极 贡献，βbi，变得显著（图9e）。以上 Debye 温度，约 145 K，用于 Bi2Te3，49 磷非散射 Umklapp 机制导致晶格的 T+1 依赖 导热性，βL。另一方面，*bi 显示 指数依赖温度和材料带 差距

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由于更高的晶格无序（图8d）。 减去电子贡献后 在低温范围内随温度降低 当双极性 贡献，k bi，变得显著（图9e）。高于 Debye温度，Bi2Te3,49声子散射约145K Umklapp机制导致晶格的T-1依赖性 导热系数，k L。另一方面，k bi显示 与温度和材料带呈指数关系 减去电子贡献后的gap 在低温范围内随温度降低 当双极性 贡献，k bi，变得显著（图9e）。高于 Debye温度，Bi2Te3,49声子散射约145K Umklapp机制导致晶格的T-1依赖性 导热系数，k L。另一方面，k bi显示 与温度和材料带呈指数关系 差距，

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