The corresponding inverse permittivity shows a linear relationship wit的简体中文翻译

The corresponding inverse permittiv

The corresponding inverse permittivity shows a linear relationship with the temperature (Figure 3(c)). It is clear that the phase transitions obey the Curie-Weiss law (1/εr =(T θC)/ C’: θC is Curie-Weiss temperature and C’ is constant). The parameters obtained are listed in Table 1. The Curie-Weiss constant, C’ for BT-150nm and BT-75nm, are reasonable values for the reported values in the BaTiO3[44,45]. A number of the theoretical and experimental studies showed that the transition temperatures of TO-T and TC have a grain (crystalline size) dependence[33,36,38–42,46,47]. Namely, the phase transition becomes the diffused character and then a slight increase of TO-T and decrease of TC are expected. As shown in Figure 3(d), the TO-T and TC in this study are good agreement with the reported intrinsic size dependences. Finally, the values of θC in the present study are also in the range of the reported values of BaTiO3 sintered by SPS and Hot-Press Sintering methods. Overall, dielectric properties and phase transition behaviors of the cold-sintered BaTiO3 nanocrystalline ceramics are well-explained by the size effect. It is noteworthy that these cold sintered BaTiO3 dielectrics are densified under the lowest sintering temperatures with high permittivity values, earlier it was thought that only high permittivities could be obtained only with higher thermal treatments[48].
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相应的反介电常数与温度呈线性关系(图3(c))。显然,相变服从居里-魏斯定律(1 /εr=(TθC)/ C':θC是居里-魏斯温度,C'是恒定的)。表1列出了获得的参数。BT-150nm和BT-75nm的居里-魏斯常数C'是BaTiO3中报道值的合理值[44,45]。许多理论和实验研究表明,TO-T和TC的转变温度与晶粒(晶体尺寸)有关。[33,36,38–42,46,47]即,相变成为扩散特性然后预计TO-T会稍微增加而TC会减少。如图3(d)所示,本研究中的TO-T和TC与所报道的内在尺寸相关性很好。最后,本研究中的θC值也在SPS和热压烧结法烧结的BaTiO3的报道值范围内。总体而言,通过尺寸效应很好地解释了冷烧结的BaTiO3纳米晶陶瓷的介电性能和相变行为。值得注意的是,这些冷烧结的BaTiO3电介质是在最低的烧结温度下以高的介电常数值进行致密化的,更早之前人们认为只有通过较高的热处理才能获得高的介电常数。[48]
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相应的逆允许率显示与温度的线性关系(图3(c))。显然,相位过渡遵循居里-威斯定律(1/+r =(T+C)/C':°C是居里-威斯温度,C'是恒定的)。所得参数列在表 1 中。Curie-Weiss 常数为 BT-150nm 和 BT-75nm 的 C',是 BaTiO3[44,45]中报告值的合理值。一些理论和实验研究表明,TO-T和TC的过渡温度具有颗粒(晶体大小)依赖性。[33,36,38–42,46,47]也就是说,相位转换成为漫反射特征,然后预期TO-T略有增加,TC会减少。如图 3(d)所示,本研究中的 TO-T 和 TC 与报告的内在尺寸依赖性完全一致。最后,本研究中的μC值也位于SPS和热压烧结方法所联结的BaTiO3报告值范围内。总体而言,冷烧结巴TiO3纳米晶体陶瓷的介电特性和相位转换行为通过尺寸效应得到了很好的解释。值得注意的是,这些冷烧结的BaTiO3介电在最低烧结温度下被密度高,允许值较高,早先人们认为只有高热处理才能获得高允许性。[48]
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相应的逆介电常数与温度呈线性关系(图3(c))。很明显,相变遵循居里-维斯定律(1/εr=(TθC)/C):θC是居里-维斯温度,C'是常数。表1列出了获得的参数。BT-150nm和BT-75nm的居里-维斯常数C'是BaTiO3中报告值的合理值[44,45]。大量的理论和实验研究表明,TO-T和TC的转变温度与晶粒(晶粒尺寸)有关[33,36,38-42,46,47],即相变成为扩散特征,随后TO-T略有增加,TC有所下降。如图3(d)所示,本研究中的TO-T和TC与报告的内在尺寸依赖性非常一致。最后,本研究中的θC值也在SPS烧结和热压烧结BaTiO3的报道值范围内。总的来说,尺寸效应很好地解释了冷烧结BaTiO3纳米陶瓷的介电性能和相变行为。值得注意的是,这些冷烧结BaTiO3电介质是在具有高介电常数的最低烧结温度下致密化的,早些时候人们认为只有经过更高的热处理才能获得高介电常数
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