is the four-terminal longitudinal resistance of point contact i. Equat的简体中文翻译

is the four-terminal longitudinal r

is the four-terminal longitudinal resistance of point contact i. Equation (3.39) predicts a nonmonotonic Bdependence for Gseries. This can most easily be seen by disregarding the discreteness of N and Nwide. We then have NL ≈ EF/ˉhωc, while the magnetic field dependence of N (for a square-well confining potential in the point contacts) is given by Eq. (2.62). The resulting B-dependence of Gseries is shown in Fig. 64 (dotted curves). The nonmonotonic behavior is due to the delayed depopulation of subbands in the point contacts compared with the broad 2DEG. While the number of occupied Landau levels Nwide in the region between the point contacts decreases steadily with B for 2lcycl < L, the number N of occupied subbands in the point contacts remains approximately constant until 2lc,min ≈ Wmin, with lc,min ≡ lcycl(1 . Ec/EF)1/2 denoting the cyclotron radius in the point contact region. In this field interval Gseries increases with B, according to Eq. (3.39). For stronger fields, depopulation in the point contacts begins to dominate Gseries, leading finally to a decreasing conductance (as is the rule for single point contacts; see Section III.B.2). The peak in Gseries thus occurs at 2lc,min ≈ Wmin.
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是点接触i的四端子的纵向电阻。等式(3.39)预测的G系列非单调Bdependence。这可以最容易忽视的N和Nwide离散可见。然后我们可以NL≈EF /ˉhωc,而N的磁场依存性(在点接触的方孔限制电位)由等式给出。(2.62)。G系列的所得到的B-依存性示于图64(虚线曲线)。非单调行为是由于在点接触的子带的延迟灭绝与广泛的2DEG比较。虽然占用朗道水平Nwide在点接触之间的区域的数目在点接触保持大致恒定,直到2LC,分钟≈WMIN稳步乙用于2lcycl <L,减小占用子带的数量N,与LC,分钟≡lcycl (1。的Ec / EF)1/2表示的点接触区域中的回旋半径。在该场间隔为B G系列的增加,根据方程 (3.39)。对于更强的磁场,过疏在点接触开始支配G系列,最终导致减小的电导(如对于单点接触的规则;请参见第III.B.2)。在G系列的峰值从而发生在2LC,最小值WMIN≈。
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是点接触的四端纵向电阻 i. 方程 (3.39) 预测 G 系列的非单调性依赖性。这很容易通过忽略 N 和 Nwide 的离散性来看到。然后,我们有NL = EF/_h_c,而N的磁场依赖性(对于点触点中的方孔限制电位)由Eq.(2.62)给出。G 系列产生的 B 依赖性如图 64 所示(虚线曲线)。非单调行为是由于与宽2DEG相比,点接触中子带的延迟减少。虽然点触点之间的 Nwide 区域中占用 Landau 级别数与 B 表示 2lcycl + L 稳步减少,但点触点中占用子波段数 N 大致保持不变,直到 2lc、min = Wmin,lc、min_lcycl(1 .Ec/EF)1/2 表示点接触区域中的回旋子半径。在此字段间隔中,根据 Eq. (3.39),G 系列随 B 增加。对于更强的场,点触点中的减少填充开始主导 Gseries,最终导致电导率下降(如单点接触的规则一样;参见第三节)。B.2). 因此,G 系列中的峰值出现在 2lc、min = Wmin 处。
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是点接触的四端纵向电阻i。方程式(3.39)预测了G系列的非单调依赖性。忽略N和Nwide的离散性很容易看出这一点。然后我们得到NL≈EF/hωc,而N(对于点接触中的方阱限制势)的磁场依赖性由式(2.62)给出。图64(点曲线)显示了Gseries的B依赖性。非单调行为是由于点接触中的子带延迟与宽2DEG相比延迟延迟,而在点接触点之间的区域内占据的Landau电平的数量随着B的2LCyCl<L而稳定下降,点接触中的被占用子带的数量N保持大致恒定。2lc,min≈Wmin,带lc,min∏lcycl(1。Ec/EF)1/2表示点接触区的回旋加速器半径。根据公式(3.39),在该区域,G系列随B增加。对于强磁场,点接触中的人口减少开始主导Gseries,最终导致电导降低(单点接触的规则是这样的;见第III.B.2节)。因此,G系列的峰值出现在2lc,min≈Wmin。
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