The first solution processable PDI-

The first solution processable PDI-based polymer acceptor P(PDI2DD-DTT) (P1) composed of alternating dithienothiophene(DTT) and PDI units (Fig. 4) was synthesized by Zhan and coworkers in 2007 [52]. Benefiting the highly ordered p-stackedstructures and extended absorption coverage induced from theintramolecular low-energy charge-transfer transition suggestedby the D–A character of the polymer (from 300 nm to 700 nmand extending into the near-IR), the resulting fullerene-free OSCsbased on P(PDI2DD-DTT) showed a PCE over 1% with a Jsc of4.2 mA cm2, a Voc of 0.63 V and a fill factor (FF) of 39%. Byemploying binary additives, including a nonvolatile-conjugatedmolecule PDI-2DTT and DIO to facilitate mixing of donor andacceptor and to improve phase separation, Zhan et al. fabricatedPSC devices consisting of low-bandgap polymer donor PBDTTTC-T and P(PDI2DD-DTT) and achieved a higher PCE of 3.45%[64]. Later on, Zhou’s group fabricated PSC devices by pairing P(PDI2DD-DTT) with a p-type polymer BDDT (also known asPBDTBDD-T or PBDB-T) and obtained a PCE of 3.49% [65].

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詹和同事在2007年合成了第一个可溶液处理的基于PDI的聚合物受体P （PDI2DD-DTT）（P1），由交替的二噻吩并噻吩 （DTT）和PDI单元组成（图4）[52]。得益于聚合物的D–A特性（从300 nm到700 nm 并延伸到近红外），分子内低能电荷转移跃迁 引起的高度有序的p堆积结构和扩展的吸收覆盖范围，所得的基于P（PDI2DD-DTT）的不含富勒烯的OSC 显示出PCE超过1％，Jsc为4.2mA cm 2 ，Voc为0.63V，填充系数（FF）为39％。通过使用二元添加剂，包括非挥发性共轭物 Zhan等人，分子PDI-2DTT和DIO可促进供体和受体的混合并改善相分离。制造的 由低带隙聚合物施主PBDTTTC-T和P（PDI2DD-DTT）的PSC设备取得的3.45％的较高PCE [64]。后来，Zhou的小组通过将P （PDI2DD-DTT）与p型聚合物BDDT（也称为 PBDTBDD-T或PBDB-T）配对来制造PSC器件，并获得了3.49％的PCE [65]。

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第一个解决方案可加工基于PDI的聚合物接受器P （PDI2DD-DTT）（P1）由交替二甲基苯组成 （DTT）和PDI单位（图4）是由詹和同事在2007年合成的[52]。受益于高度有序的 p 堆栈 结构和扩展吸收覆盖率从诱导 分子内低能量电荷转移过渡建议 由聚合物的D+A特性（从300纳米到700纳米 并扩展到近红外），由此产生的无富勒烯的OSCs 基于 P（PDI2DD-DTT）显示一个PCE超过1%与JSC 4.2 mA cm2 ，0.63 V 的 Voc 和 39% 的填充系数（FF）。由 使用二元添加剂，包括非易失性结合 分子PDI-2DTT和DIO，以促进捐赠者的混合和 接受和改善相分离，詹等人捏造 由低带状聚合物供体PBDTTC-T和P（PDI2DD-DTT）组成的PSC器件，PCE高3.45% [64]. 后来，周的小组通过配对P制造了PSC设备 （PDI2DD-DTT），带p型聚合物BDT（也称为 PBDTBDD-T 或 PBDB-T），获得 3.49% 的 PCE [65]。

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第一种可溶液处理的PDI基聚合物受体P （PDI-2DIOT）交替组成 （DTT）和PDI单元（图4）由Zhan和同事在2007年合成[52]。受益于高度有序的p-stacked 结构和由 分子内低能电荷转移跃迁 通过D–聚合物的特性（从300 nm到700 nm 并延伸到近红外区），得到不含富勒烯的osc 基于P（PDI2DD-DTT）显示PCE超过1%，Jsc为 4.2毫安厘米2 Voc为0.63v，填充因子（FF）为39%。通过 使用二元添加剂，包括非挥发性共轭 PDI-2DTT和DIO分子以促进供体和 受体和改善相分离，詹等。编造 由低禁带聚合物施主PBDTTTC-T和P（PDI2DD-DTT）组成的PSC器件，PCE达到3.45%以上 [64]。后来，周的团队通过配对P来制造PSC器件 （PDI2DD-DTT）与p型聚合物BDDT（也称为 PBDTBDD-T或PBDB-T），并获得3.49%的PCE[65]。

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