针对具有各向异性的GaAs，研究在相同的抛光以及抛光工艺情况下，不同晶

针对具有各向异性的GaAs，研究在相同的抛光以及抛光工艺情况下，不同晶向晶向表面会产生划痕的分布特征，为抑制晶圆表面划痕的形成、提高半导体晶圆的表面抛光质量提供理论支撑。

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For GaAs materials with anisotropic properties, under the same polishing solution formulation and polishing process, the distribution characteristics of scratches on different crystal orientation surfaces will be studied. The quality of the round surface finish provides theoretical support.

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For GaAs materials with anisotropy properties, it is studied that under the same polishing formula and polishing process, the distribution characteristics of scratches will be produced on different crystal-to-crystal surfaces, which provides theoretical support for inhibiting the formation of scratches on the wafer surface and improving the surface polishing quality of semiconductor wafers.

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For the GaAs material with anisotropic characteristics, the distribution characteristics of scratches on the surface with different orientations are studied under the same polishing fluid formula and polishing process, which provides theoretical support for inhibiting the formation of scratches on the wafer surface and improving the surface polishing quality of semiconductor wafer.<br>

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